半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2002年
12期
64-67
,共4页
杨田林%杨光德%高绪团%万云芳
楊田林%楊光德%高緒糰%萬雲芳
양전림%양광덕%고서단%만운방
有机衬底%SnO2:Sb透明导电膜%射频磁控溅射
有機襯底%SnO2:Sb透明導電膜%射頻磁控濺射
유궤츤저%SnO2:Sb투명도전막%사빈자공천사
采用射频磁控溅射法在有机柔性衬底上制备出了SnO2:Sb透明导电膜,讨论了薄膜的结构和光电性质对制备条件的依赖关系.制备的样品为多晶薄膜,并且保持了氧化锡的金红石结构.对衬底适当地加热,当衬底温度为200℃时,在PI(聚酰亚胺)胶片上制备出了性能良好的薄膜,薄膜相应自由载流子霍耳迁移率的最大值为1 3.9cm2/V@s,载流子浓度为15.5×1019cm-3,薄膜电阻率的最小值为3.7×103Ω@cm.在可见光范围内,样品的相对透过率为85%左右.
採用射頻磁控濺射法在有機柔性襯底上製備齣瞭SnO2:Sb透明導電膜,討論瞭薄膜的結構和光電性質對製備條件的依賴關繫.製備的樣品為多晶薄膜,併且保持瞭氧化錫的金紅石結構.對襯底適噹地加熱,噹襯底溫度為200℃時,在PI(聚酰亞胺)膠片上製備齣瞭性能良好的薄膜,薄膜相應自由載流子霍耳遷移率的最大值為1 3.9cm2/V@s,載流子濃度為15.5×1019cm-3,薄膜電阻率的最小值為3.7×103Ω@cm.在可見光範圍內,樣品的相對透過率為85%左右.
채용사빈자공천사법재유궤유성츤저상제비출료SnO2:Sb투명도전막,토론료박막적결구화광전성질대제비조건적의뢰관계.제비적양품위다정박막,병차보지료양화석적금홍석결구.대츤저괄당지가열,당츤저온도위200℃시,재PI(취선아알)효편상제비출료성능량호적박막,박막상응자유재류자곽이천이솔적최대치위1 3.9cm2/V@s,재류자농도위15.5×1019cm-3,박막전조솔적최소치위3.7×103Ω@cm.재가견광범위내,양품적상대투과솔위85%좌우.
