射频磁控共溅射GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜的光学性质
사빈자공공천사GaAs/SiO2납미과립양감박막적광학성질
Optical properties of GaAs nano-granular embedded in SiO2 matrix prepared by RF magnetron cosputtering technique
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2002年 4期 882-888 ,共7页

    丁瑞钦%王浩%于英敏%王宁娟%佘卫龙%李润华%丘志仁%罗莉%蔡志岗%W,Y,Cheung%S,P,Wong

    정서흠%왕호%우영민%왕저연%사위룡%리윤화%구지인%라리%채지강%W,Y,Cheung%S,P,Wong

    射频磁控共溅射%GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜%光谱%激光Z扫描 射頻磁控共濺射%GaAs/SiO2納米顆粒鑲嵌薄膜%光譜%激光Z掃描
    사빈자공공천사%GaAs/SiO2납미과립양감박막%광보%격광Z소묘
    应用射频磁控共溅射方法和真空退火方法制备了GaAs/SiO2纳米颗粒镶嵌薄膜.X射线衍射实验结果表明,经高温退火的薄膜中形成了面心立方闪锌矿结构的GaAs纳米晶粒, 晶粒平均直径为1.5-3.2*!nm.吸收光谱展示了由于强量子限域引起的1.5-2*!eV的吸收边蓝移.室温光致荧光(PL)光谱显示了电子-重空穴激子与电子-劈裂空穴激子的近紫外和紫外双PL谱峰以及深俘获态的PL谱峰.对实验吸收边蓝移量与有效质量模型的蓝移量的悬殊差别、俘获态PL谱的形成以及PL谱线的特征作了解释.应用激光Z扫描技术测量了退火温度为500℃的复合膜在非共振条件下的光学非线性,结果表明,复合膜的非线性折射率系数和非线性吸收系数都比块材GaAs相应的系数增大了5个数量级.光学非线性系数增大主要起因于强量子限域效应.
    응용사빈자공공천사방법화진공퇴화방법제비료GaAs/SiO2납미과립양감박막.X사선연사실험결과표명,경고온퇴화적박막중형성료면심립방섬자광결구적GaAs납미정립, 정립평균직경위1.5-3.2*!nm.흡수광보전시료유우강양자한역인기적1.5-2*!eV적흡수변람이.실온광치형광(PL)광보현시료전자-중공혈격자여전자-벽렬공혈격자적근자외화자외쌍PL보봉이급심부획태적PL보봉.대실험흡수변람이량여유효질량모형적람이량적현수차별、부획태PL보적형성이급PL보선적특정작료해석.응용격광Z소묘기술측량료퇴화온도위500℃적복합막재비공진조건하적광학비선성,결과표명,복합막적비선성절사솔계수화비선성흡수계수도비괴재GaAs상응적계수증대료5개수량급.광학비선성계수증대주요기인우강양자한역효응.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문