磁控溅射淀积掺Er富Si氧化硅膜中Er3+1.54μm光致发光
자공천사정적참Er부Si양화규막중Er3+1.54μm광치발광
ROOM-TEMPERATURE 1.54μm Er3+ PHOTOLUMINESCENCE FROM Er-DOPED SILICON-RICH SILICON OXIDE FILM GROWN BY MAGNETRON SPUTTERING
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2001年 12期 2487-2491 ,共5页

    袁放成%冉广照%陈源%张伯蕊%乔永平%傅济时%秦国刚%马振昌%宗婉华

    원방성%염엄조%진원%장백예%교영평%부제시%진국강%마진창%종완화

    Er%富Si氧化硅%光致发光%纳米硅 Er%富Si氧化硅%光緻髮光%納米硅
    Er%부Si양화규%광치발광%납미규
    用磁控溅射淀积不同富Si程度的掺Er富Si氧化硅薄膜.室温下测量其光致发光谱,观察到各谱中都含有1.54和1.38μm两个发光峰,其中1.54和1.38μm的光致发光峰分别来自E,+和氧化硅中某种缺陷.系统研究了Er3+1.54μm光致发光峰强度对富Si程度及退火温度的依赖关系.还发现1.54μm发光峰强度与1.38μm发光峰强度相互关联,对此进行了讨论.
    용자공천사정적불동부Si정도적참Er부Si양화규박막.실온하측량기광치발광보,관찰도각보중도함유1.54화1.38μm량개발광봉,기중1.54화1.38μm적광치발광봉분별래자E,+화양화규중모충결함.계통연구료Er3+1.54μm광치발광봉강도대부Si정도급퇴화온도적의뢰관계.환발현1.54μm발광봉강도여1.38μm발광봉강도상호관련,대차진행료토론.
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