固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2002年
1期
78-81
,共4页
庞恩文%林晶%汪荣昌%戎瑞芬%宗祥福
龐恩文%林晶%汪榮昌%戎瑞芬%宗祥福
방은문%림정%왕영창%융서분%종상복
铜布线%扩散阻挡层%钽
銅佈線%擴散阻擋層%鐽
동포선%확산조당층%단
从钽膜质量的角度研究了用溅射方法在硅衬底上得到的60 nm钽膜对铜硅互扩散的阻挡效果,钽膜的质量通过对硅衬底的表面处理以及钽膜的淀积速率来控制.研究发现,适当的硅衬底表面处理对钽膜是否能产生良好的防扩散能力起着
從鐽膜質量的角度研究瞭用濺射方法在硅襯底上得到的60 nm鐽膜對銅硅互擴散的阻擋效果,鐽膜的質量通過對硅襯底的錶麵處理以及鐽膜的澱積速率來控製.研究髮現,適噹的硅襯底錶麵處理對鐽膜是否能產生良好的防擴散能力起著
종단막질량적각도연구료용천사방법재규츤저상득도적60 nm단막대동규호확산적조당효과,단막적질량통과대규츤저적표면처리이급단막적정적속솔래공제.연구발현,괄당적규츤저표면처리대단막시부능산생량호적방확산능력기착
