固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2004年
2期
249-252,263
,共5页
黄士勇%曲风钦%戴振宏%苗晔%钟玉荣%王仲训
黃士勇%麯風欽%戴振宏%苗曄%鐘玉榮%王仲訓
황사용%곡풍흠%대진굉%묘엽%종옥영%왕중훈
量子点%半导体%平均半径
量子點%半導體%平均半徑
양자점%반도체%평균반경
用Cu、In、Se三元扇形复合靶,采用射频磁控反应溅射技术,在低温Indium Tin Oxude(ITO)透明导电基片上制备大面积均匀圆柱形CuInSe2(CIS)量子点.制备材料的化学计量比可通过三种单质的面积比率来调节.该制备方法具有成本低、操作简单、易于大型化等优点.平均量子点的大小可控制在40到80 nm之间,可通过改变溅射参数、ITO膜的晶相结构与表面形貌等因素来调节.
用Cu、In、Se三元扇形複閤靶,採用射頻磁控反應濺射技術,在低溫Indium Tin Oxude(ITO)透明導電基片上製備大麵積均勻圓柱形CuInSe2(CIS)量子點.製備材料的化學計量比可通過三種單質的麵積比率來調節.該製備方法具有成本低、操作簡單、易于大型化等優點.平均量子點的大小可控製在40到80 nm之間,可通過改變濺射參數、ITO膜的晶相結構與錶麵形貌等因素來調節.
용Cu、In、Se삼원선형복합파,채용사빈자공반응천사기술,재저온Indium Tin Oxude(ITO)투명도전기편상제비대면적균균원주형CuInSe2(CIS)양자점.제비재료적화학계량비가통과삼충단질적면적비솔래조절.해제비방법구유성본저、조작간단、역우대형화등우점.평균양자점적대소가공제재40도80 nm지간,가통과개변천사삼수、ITO막적정상결구여표면형모등인소래조절.
