半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
6期
1197-1202
,共6页
黄伟%卢建政%张利春%高玉芝%金海岩
黃偉%盧建政%張利春%高玉芝%金海巖
황위%로건정%장리춘%고옥지%금해암
Ni(Zr)Si%热稳定性%X射线衍射%Raman光谱%肖特基二极管
Ni(Zr)Si%熱穩定性%X射線衍射%Raman光譜%肖特基二極管
Ni(Zr)Si%열은정성%X사선연사%Raman광보%초특기이겁관
提出在Ni中掺人夹层Zr的方法来提高NiSi的热稳定性.具有此结构的薄膜,600～800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/□.经XRD和Raman光谱分析表明,薄膜中只存在低阻NiSi相,而没有高阻NiSi2相生成.Ni(Zr)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺Zr的镍硅化物的转变温度上限提高了100℃.Ni(Zr)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650～800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.63eV,理想因子接近于1.
提齣在Ni中摻人夾層Zr的方法來提高NiSi的熱穩定性.具有此結構的薄膜,600～800℃快速熱退火後,薄層電阻保持較低值,小于2Ω/□.經XRD和Raman光譜分析錶明,薄膜中隻存在低阻NiSi相,而沒有高阻NiSi2相生成.Ni(Zr)Si的薄層電阻由低阻轉變為高阻的溫度在800℃以上,比沒有摻Zr的鎳硅化物的轉變溫度上限提高瞭100℃.Ni(Zr)Si/Si肖特基勢壘二極管能夠經受650～800℃不同溫度的快速熱退火,肖特基接觸特性良好,肖特基勢壘高度為0.63eV,理想因子接近于1.
제출재Ni중참인협층Zr적방법래제고NiSi적열은정성.구유차결구적박막,600～800℃쾌속열퇴화후,박층전조보지교저치,소우2Ω/□.경XRD화Raman광보분석표명,박막중지존재저조NiSi상,이몰유고조NiSi2상생성.Ni(Zr)Si적박층전조유저조전변위고조적온도재800℃이상,비몰유참Zr적얼규화물적전변온도상한제고료100℃.Ni(Zr)Si/Si초특기세루이겁관능구경수650～800℃불동온도적쾌속열퇴화,초특기접촉특성량호,초특기세루고도위0.63eV,이상인자접근우1.
