微电子学与计算机
微電子學與計算機
미전자학여계산궤
MICROELECTRONICS & COMPUTER
2006年
4期
122-127,129
,共7页
屠睿%刘丽蓓%李晴%邵丙铣
屠睿%劉麗蓓%李晴%邵丙鐉
도예%류려배%리청%소병선
SRAM单元稳定性%静态噪声容限%阈值电压失配
SRAM單元穩定性%靜態譟聲容限%閾值電壓失配
SRAM단원은정성%정태조성용한%역치전압실배
采用基于物理的α指数MOSFET模型与低功耗传输域MOSFET模型,推导了新的超深亚微米无负载四管与六管SRAM存储单元静态噪声容限的解析模型,对比分析了由沟道掺杂原子本征涨落引起的相邻MOSFET的阈值电压失配对无负载四管和六管SRAM单元静态噪声容限的影响.
採用基于物理的α指數MOSFET模型與低功耗傳輸域MOSFET模型,推導瞭新的超深亞微米無負載四管與六管SRAM存儲單元靜態譟聲容限的解析模型,對比分析瞭由溝道摻雜原子本徵漲落引起的相鄰MOSFET的閾值電壓失配對無負載四管和六管SRAM單元靜態譟聲容限的影響.
채용기우물리적α지수MOSFET모형여저공모전수역MOSFET모형,추도료신적초심아미미무부재사관여륙관SRAM존저단원정태조성용한적해석모형,대비분석료유구도참잡원자본정창락인기적상린MOSFET적역치전압실배대무부재사관화륙관SRAM단원정태조성용한적영향.
