电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
3期
755-758
,共4页
谭一云%于虹%黄庆安%刘同庆
譚一雲%于虹%黃慶安%劉同慶
담일운%우홍%황경안%류동경
杨氏模量%硅{100}表面%(2×1)dimer重构%分子动力学
楊氏模量%硅{100}錶麵%(2×1)dimer重構%分子動力學
양씨모량%규{100}표면%(2×1)dimer중구%분자동역학
采用分子动力学方法计算了100 K、300 K、400 K和500 K四个温度下硅纳米薄膜[110]与[11-0]两个方向上的杨氏模量.结果表明,[110]与[11-0]两个方向杨氏模量有较大差别,约为25 GPa;[110]与[11-0]的杨氏模量随温度变化的斜率几乎一样,为-0.007 Gpa/K.研究还表明,[110]与[11-0]两个方向具有几乎相等的热膨胀系数,量级在10-6/K.
採用分子動力學方法計算瞭100 K、300 K、400 K和500 K四箇溫度下硅納米薄膜[110]與[11-0]兩箇方嚮上的楊氏模量.結果錶明,[110]與[11-0]兩箇方嚮楊氏模量有較大差彆,約為25 GPa;[110]與[11-0]的楊氏模量隨溫度變化的斜率幾乎一樣,為-0.007 Gpa/K.研究還錶明,[110]與[11-0]兩箇方嚮具有幾乎相等的熱膨脹繫數,量級在10-6/K.
채용분자동역학방법계산료100 K、300 K、400 K화500 K사개온도하규납미박막[110]여[11-0]량개방향상적양씨모량.결과표명,[110]여[11-0]량개방향양씨모량유교대차별,약위25 GPa;[110]여[11-0]적양씨모량수온도변화적사솔궤호일양,위-0.007 Gpa/K.연구환표명,[110]여[11-0]량개방향구유궤호상등적열팽창계수,량급재10-6/K.
