半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
4期
304-307
,共4页
砷化镓金属半导体场效应晶体管%振荡器%相位噪声
砷化鎵金屬半導體場效應晶體管%振盪器%相位譟聲
신화가금속반도체장효응정체관%진탕기%상위조성
通过理论计算与CAD的优化仿真实现了一种基于GaAs MESFET微波固态振荡器.电路结构简单、工程实用性强,且易于集成化.由实际测试表明,振荡器的中心频率为4.54 GHz,输出功率为14.95dBm,在200kHz下的相位噪声为-124.26 dBc/Hz.
通過理論計算與CAD的優化倣真實現瞭一種基于GaAs MESFET微波固態振盪器.電路結構簡單、工程實用性彊,且易于集成化.由實際測試錶明,振盪器的中心頻率為4.54 GHz,輸齣功率為14.95dBm,在200kHz下的相位譟聲為-124.26 dBc/Hz.
통과이론계산여CAD적우화방진실현료일충기우GaAs MESFET미파고태진탕기.전로결구간단、공정실용성강,차역우집성화.유실제측시표명,진탕기적중심빈솔위4.54 GHz,수출공솔위14.95dBm,재200kHz하적상위조성위-124.26 dBc/Hz.
