半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
394-397
,共4页
马志勇%王晓亮%胡国新%肖红领%王翠梅%冉军学%李建平
馬誌勇%王曉亮%鬍國新%肖紅領%王翠梅%冉軍學%李建平
마지용%왕효량%호국신%초홍령%왕취매%염군학%리건평
AlGaN/AlN/GaN%Pendell(o)sung条纹%金属有机物化学气相沉积%高电子迁移率晶体管
AlGaN/AlN/GaN%Pendell(o)sung條紋%金屬有機物化學氣相沉積%高電子遷移率晶體管
AlGaN/AlN/GaN%Pendell(o)sung조문%금속유궤물화학기상침적%고전자천이솔정체관
用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(AFM)对材料的结构、界面特性和表面形貌进行了研究.测试结果表明该材料具有优良的晶体质量和表面形貌,GaN(0002)衍射蜂的半高宽为4.56＇,AFM 5μm×5μm扫描面积的表面均方根粗糙度为0.159nm;TCXRD测试中在AlGaN(0002)衍射峰右侧观察到Pendell(o)sung条纹,表明AlGaN势垒层具有良好的晶体质量和高的异质结界面质量.
用金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)技術,在藍寶石襯底上生長瞭Al組分階變勢壘層結構的AlGaN/AlN/GaN高電子遷移率晶體管結構材料.用三晶X射線衍射(TCXRD)和原子力顯微鏡(AFM)對材料的結構、界麵特性和錶麵形貌進行瞭研究.測試結果錶明該材料具有優良的晶體質量和錶麵形貌,GaN(0002)衍射蜂的半高寬為4.56＇,AFM 5μm×5μm掃描麵積的錶麵均方根粗糙度為0.159nm;TCXRD測試中在AlGaN(0002)衍射峰右側觀察到Pendell(o)sung條紋,錶明AlGaN勢壘層具有良好的晶體質量和高的異質結界麵質量.
용금속유궤물화학기상침적(MOCVD)기술,재람보석츤저상생장료Al조분계변세루층결구적AlGaN/AlN/GaN고전자천이솔정체관결구재료.용삼정X사선연사(TCXRD)화원자력현미경(AFM)대재료적결구、계면특성화표면형모진행료연구.측시결과표명해재료구유우량적정체질량화표면형모,GaN(0002)연사봉적반고관위4.56＇,AFM 5μm×5μm소묘면적적표면균방근조조도위0.159nm;TCXRD측시중재AlGaN(0002)연사봉우측관찰도Pendell(o)sung조문,표명AlGaN세루층구유량호적정체질량화고적이질결계면질량.
