功能材料与器件学报
功能材料與器件學報
공능재료여기건학보
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES
2003年
3期
300-304
,共5页
王启元%谭利文%王俊%郁元桓%林兰英
王啟元%譚利文%王俊%鬱元桓%林蘭英
왕계원%담리문%왕준%욱원환%림란영
硅%Al2O3%SOI%外延生长
硅%Al2O3%SOI%外延生長
규%Al2O3%SOI%외연생장
异质外延法是目前制备新型 SOI材料的技术途径之一.采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)在硅衬底上先外延γ-Al2O3绝缘单晶薄膜,制备出硅衬底上外延氧化物外延结构γ-Al2O3/Si(EOS),然后采用类似 SOS薄膜生长的常压 CVD(APCVD)方法在 EOS上外延硅单晶薄膜,形成新型硅基双异质 SOI材料 Si/γ-Al2O3/Si.利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)及 MOS电学测量等技术表征分析了 Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100)SOI异质结构的晶体结构、组分和电学性能.测试结果表明,已成功实现了高质量的新型双异质外延 SOI结构材料Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100),γ-Al2O3与 Si外延薄膜均为单晶,γ-Al2O3薄膜具有良好绝缘性能,SOI结构界面清晰陡峭,该 SOI材料可应用于 CMOS电路的研制.
異質外延法是目前製備新型 SOI材料的技術途徑之一.採用低壓化學氣相沉積技術(LPCVD)在硅襯底上先外延γ-Al2O3絕緣單晶薄膜,製備齣硅襯底上外延氧化物外延結構γ-Al2O3/Si(EOS),然後採用類似 SOS薄膜生長的常壓 CVD(APCVD)方法在 EOS上外延硅單晶薄膜,形成新型硅基雙異質 SOI材料 Si/γ-Al2O3/Si.利用反射高能電子衍射(RHEED)、X射線衍射(XRD)、俄歇電子能譜(AES)及 MOS電學測量等技術錶徵分析瞭 Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100)SOI異質結構的晶體結構、組分和電學性能.測試結果錶明,已成功實現瞭高質量的新型雙異質外延 SOI結構材料Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100),γ-Al2O3與 Si外延薄膜均為單晶,γ-Al2O3薄膜具有良好絕緣性能,SOI結構界麵清晰陡峭,該 SOI材料可應用于 CMOS電路的研製.
이질외연법시목전제비신형 SOI재료적기술도경지일.채용저압화학기상침적기술(LPCVD)재규츤저상선외연γ-Al2O3절연단정박막,제비출규츤저상외연양화물외연결구γ-Al2O3/Si(EOS),연후채용유사 SOS박막생장적상압 CVD(APCVD)방법재 EOS상외연규단정박막,형성신형규기쌍이질 SOI재료 Si/γ-Al2O3/Si.이용반사고능전자연사(RHEED)、X사선연사(XRD)、아헐전자능보(AES)급 MOS전학측량등기술표정분석료 Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100)SOI이질결구적정체결구、조분화전학성능.측시결과표명,이성공실현료고질량적신형쌍이질외연 SOI결구재료Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100),γ-Al2O3여 Si외연박막균위단정,γ-Al2O3박막구유량호절연성능,SOI결구계면청석두초,해 SOI재료가응용우 CMOS전로적연제.
