人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2004年
5期
860-862
,共3页
王向阳%何莉%田鸿昌%东艳萍%蔡以超
王嚮暘%何莉%田鴻昌%東豔萍%蔡以超
왕향양%하리%전홍창%동염평%채이초
CVT(化学气相输运)%GaP多晶%红外窗口材料
CVT(化學氣相輸運)%GaP多晶%紅外窗口材料
CVT(화학기상수운)%GaP다정%홍외창구재료
阐述了CVT(化学气相输运)法生长GaP的基本反应和输运速度,采用CVT法生长出了GaP多晶.设计了石英管的结构以制造出一个局部的低温区域,防止了GaP在管壁的生长.生长出的GaP多晶相对密度为98%,红外透过率达到30%,努普硬度为611kg/mm2.散射颗粒测试表明主要的光散射颗粒为多晶中存在的孔隙.
闡述瞭CVT(化學氣相輸運)法生長GaP的基本反應和輸運速度,採用CVT法生長齣瞭GaP多晶.設計瞭石英管的結構以製造齣一箇跼部的低溫區域,防止瞭GaP在管壁的生長.生長齣的GaP多晶相對密度為98%,紅外透過率達到30%,努普硬度為611kg/mm2.散射顆粒測試錶明主要的光散射顆粒為多晶中存在的孔隙.
천술료CVT(화학기상수운)법생장GaP적기본반응화수운속도,채용CVT법생장출료GaP다정.설계료석영관적결구이제조출일개국부적저온구역,방지료GaP재관벽적생장.생장출적GaP다정상대밀도위98%,홍외투과솔체도30%,노보경도위611kg/mm2.산사과립측시표명주요적광산사과립위다정중존재적공극.
