高等学校化学学报
高等學校化學學報
고등학교화학학보
CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES
2005年
2期
304-307
,共4页
碳掺杂硼氮纳米管%能带%态密度%电子结构%DFT/B3LYP计算
碳摻雜硼氮納米管%能帶%態密度%電子結構%DFT/B3LYP計算
탄참잡붕담납미관%능대%태밀도%전자결구%DFT/B3LYP계산
根据DFT/B3LYP的计算结果, 从能带、态密度和电子结构的变化, 讨论了以C-C 键替换B-N 键的二碳和四碳掺杂的硼氮纳米管的导电性. 结果表明, 替换后硼氮纳米管的导电性能增强, 并且可以通过控制替换的量来调节管的半导体性能.
根據DFT/B3LYP的計算結果, 從能帶、態密度和電子結構的變化, 討論瞭以C-C 鍵替換B-N 鍵的二碳和四碳摻雜的硼氮納米管的導電性. 結果錶明, 替換後硼氮納米管的導電性能增彊, 併且可以通過控製替換的量來調節管的半導體性能.
근거DFT/B3LYP적계산결과, 종능대、태밀도화전자결구적변화, 토론료이C-C 건체환B-N 건적이탄화사탄참잡적붕담납미관적도전성. 결과표명, 체환후붕담납미관적도전성능증강, 병차가이통과공제체환적량래조절관적반도체성능.
