半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
3期
624-626
,共3页
刘俊岐%路秀真%郭瑜%刘峰奇%王占国
劉俊岐%路秀真%郭瑜%劉峰奇%王佔國
류준기%로수진%곽유%류봉기%왕점국
量子级联激光器%分子束外延%有源区%注入区
量子級聯激光器%分子束外延%有源區%註入區
양자급련격광기%분자속외연%유원구%주입구
利用分子束外延方法生长了激射波长约为9μm的GaAs/Al0.45Ga0.55As量子级联激光器.条宽35μm,腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K,81K下未经收集效率修正的峰值功率超过70mW.
利用分子束外延方法生長瞭激射波長約為9μm的GaAs/Al0.45Ga0.55As量子級聯激光器.條寬35μm,腔長2mm的器件準連續激射溫度最高達120K,81K下未經收集效率脩正的峰值功率超過70mW.
이용분자속외연방법생장료격사파장약위9μm적GaAs/Al0.45Ga0.55As양자급련격광기.조관35μm,강장2mm적기건준련속격사온도최고체120K,81K하미경수집효솔수정적봉치공솔초과70mW.
