发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2006年
5期
729-734
,共6页
李焕英%秦来顺%姚冬敏%陆晟%任国浩
李煥英%秦來順%姚鼕敏%陸晟%任國浩
리환영%진래순%요동민%륙성%임국호
闪烁性能%LPS∶Ce晶体%透射光谱%衰减特性
閃爍性能%LPS∶Ce晶體%透射光譜%衰減特性
섬삭성능%LPS∶Ce정체%투사광보%쇠감특성
用提拉法生长了Lu2Si2O7∶Ce晶体,对该晶体的闪烁性能进行了研究.透射光谱表明,Lu2Si2O7∶Ce晶体的吸收边比Lu2SiO5∶Ce晶体向短波方向移动了25 nm,使透光范围进一步拓宽.X射线发射光谱和UV激发发射光谱均具有典型的双峰特征,主峰在378 nm.UV激发发射谱具有温度效应,即375 K以上时,发光效率迅速降低;425 K以上时,发光主峰位明显红移.衰减曲线符合单指数式衰减规律,常温下经UV激发后的衰减时间约为34 ns.从曲线形态看,375 K以下的衰减谱与室温下的几乎完全相同,拟合的结果在32.8～34 ns之间;衰减时间的温度效应从375 K开始显现,即随温度的升高,衰减时间有加速变短的趋势,到500 K时缩短为6.72 ns.热释光谱在488, 553 K处有两个热释光峰,但室温附近几乎观察不到热释光峰.
用提拉法生長瞭Lu2Si2O7∶Ce晶體,對該晶體的閃爍性能進行瞭研究.透射光譜錶明,Lu2Si2O7∶Ce晶體的吸收邊比Lu2SiO5∶Ce晶體嚮短波方嚮移動瞭25 nm,使透光範圍進一步拓寬.X射線髮射光譜和UV激髮髮射光譜均具有典型的雙峰特徵,主峰在378 nm.UV激髮髮射譜具有溫度效應,即375 K以上時,髮光效率迅速降低;425 K以上時,髮光主峰位明顯紅移.衰減麯線符閤單指數式衰減規律,常溫下經UV激髮後的衰減時間約為34 ns.從麯線形態看,375 K以下的衰減譜與室溫下的幾乎完全相同,擬閤的結果在32.8～34 ns之間;衰減時間的溫度效應從375 K開始顯現,即隨溫度的升高,衰減時間有加速變短的趨勢,到500 K時縮短為6.72 ns.熱釋光譜在488, 553 K處有兩箇熱釋光峰,但室溫附近幾乎觀察不到熱釋光峰.
용제랍법생장료Lu2Si2O7∶Ce정체,대해정체적섬삭성능진행료연구.투사광보표명,Lu2Si2O7∶Ce정체적흡수변비Lu2SiO5∶Ce정체향단파방향이동료25 nm,사투광범위진일보탁관.X사선발사광보화UV격발발사광보균구유전형적쌍봉특정,주봉재378 nm.UV격발발사보구유온도효응,즉375 K이상시,발광효솔신속강저;425 K이상시,발광주봉위명현홍이.쇠감곡선부합단지수식쇠감규률,상온하경UV격발후적쇠감시간약위34 ns.종곡선형태간,375 K이하적쇠감보여실온하적궤호완전상동,의합적결과재32.8～34 ns지간;쇠감시간적온도효응종375 K개시현현,즉수온도적승고,쇠감시간유가속변단적추세,도500 K시축단위6.72 ns.열석광보재488, 553 K처유량개열석광봉,단실온부근궤호관찰불도열석광봉.
