半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
4期
293-296
,共4页
垂直布里奇曼法%砷化镓%单晶%位错密度
垂直佈裏奇曼法%砷化鎵%單晶%位錯密度
수직포리기만법%신화가%단정%위착밀도
半导体GaAs单晶材料通常用于制作激光二极管和高亮度发光二极管.对于激光二极管而言,特别需要低位错材料.简要阐述了垂直布里奇曼(VB)法生长GaAs单晶材料的动力学原理及VB-GaAs单晶的生长技术.本技术可实现低位错GaAs单晶材料的生长,拉制的50 mm掺硅GaAs单晶的平均位错密度为500 cm-2,最大为1000 cm-2.
半導體GaAs單晶材料通常用于製作激光二極管和高亮度髮光二極管.對于激光二極管而言,特彆需要低位錯材料.簡要闡述瞭垂直佈裏奇曼(VB)法生長GaAs單晶材料的動力學原理及VB-GaAs單晶的生長技術.本技術可實現低位錯GaAs單晶材料的生長,拉製的50 mm摻硅GaAs單晶的平均位錯密度為500 cm-2,最大為1000 cm-2.
반도체GaAs단정재료통상용우제작격광이겁관화고량도발광이겁관.대우격광이겁관이언,특별수요저위착재료.간요천술료수직포리기만(VB)법생장GaAs단정재료적동역학원리급VB-GaAs단정적생장기술.본기술가실현저위착GaAs단정재료적생장,랍제적50 mm참규GaAs단정적평균위착밀도위500 cm-2,최대위1000 cm-2.
