微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2007年
4期
507-510
,共4页
差分对称%MMIC%螺旋电感%品质因数%自谐振频率
差分對稱%MMIC%螺鏇電感%品質因數%自諧振頻率
차분대칭%MMIC%라선전감%품질인수%자해진빈솔
采用基于有限元数值求解Maxwell方程的通用全波电磁(EM)场仿真器HFSS(High Frequency Structure Simulator),结合硅衬底螺旋电感(SIOS)的紧凑集总模型,对差分对称圆形单层双层螺旋电感进行了对比研究.结果表明,前者在品质因数(QF)、自谐振频率(SRF)和3 dB带宽(BW)方面明显优于后者,而且前者最大品质因数处的电感值也符合nH量级要求.采用文中参数,前者较后者QF提高56.5%,SRF提高196.8%,BW提高5倍以上,但后者的电感值能达到前者3倍以上.模拟结果与理论分析相吻合.
採用基于有限元數值求解Maxwell方程的通用全波電磁(EM)場倣真器HFSS(High Frequency Structure Simulator),結閤硅襯底螺鏇電感(SIOS)的緊湊集總模型,對差分對稱圓形單層雙層螺鏇電感進行瞭對比研究.結果錶明,前者在品質因數(QF)、自諧振頻率(SRF)和3 dB帶寬(BW)方麵明顯優于後者,而且前者最大品質因數處的電感值也符閤nH量級要求.採用文中參數,前者較後者QF提高56.5%,SRF提高196.8%,BW提高5倍以上,但後者的電感值能達到前者3倍以上.模擬結果與理論分析相吻閤.
채용기우유한원수치구해Maxwell방정적통용전파전자(EM)장방진기HFSS(High Frequency Structure Simulator),결합규츤저라선전감(SIOS)적긴주집총모형,대차분대칭원형단층쌍층라선전감진행료대비연구.결과표명,전자재품질인수(QF)、자해진빈솔(SRF)화3 dB대관(BW)방면명현우우후자,이차전자최대품질인수처적전감치야부합nH량급요구.채용문중삼수,전자교후자QF제고56.5%,SRF제고196.8%,BW제고5배이상,단후자적전감치능체도전자3배이상.모의결과여이론분석상문합.
