现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2011年
20期
150-152
,共3页
氧敏%半导化%氧空位%SrTiO3功能材料
氧敏%半導化%氧空位%SrTiO3功能材料
양민%반도화%양공위%SrTiO3공능재료
为提高元件半导化原理并提高元件的氧气灵敏度,对以SrTiO3为基材的样品分别在强还原气体条件和大气条件下的N型电压敏、电容双功能元件和P型氧气敏感元件,分别测试了N型元件的压敏电压U1mA等电参数和P型元件在不同的温度下的阻温特性、氧敏特性,并进行了TPD测量.研究表明氧空位是在SrTiO3晶体中杂质扩散、实现半导化的重要条件,因此控制氧空位的浓度成为制备钙钛矿型半导体功能陶瓷元件的重要因素；还原气氛烧结产生的氧空位是材料实现N型半导化的重要手段；受主杂质所产生的氧空位促进了环境氧与晶格氧的交换,是材料实现P型半导化的重要手段,也提高了元件的氧气灵敏度.
為提高元件半導化原理併提高元件的氧氣靈敏度,對以SrTiO3為基材的樣品分彆在彊還原氣體條件和大氣條件下的N型電壓敏、電容雙功能元件和P型氧氣敏感元件,分彆測試瞭N型元件的壓敏電壓U1mA等電參數和P型元件在不同的溫度下的阻溫特性、氧敏特性,併進行瞭TPD測量.研究錶明氧空位是在SrTiO3晶體中雜質擴散、實現半導化的重要條件,因此控製氧空位的濃度成為製備鈣鈦礦型半導體功能陶瓷元件的重要因素；還原氣氛燒結產生的氧空位是材料實現N型半導化的重要手段；受主雜質所產生的氧空位促進瞭環境氧與晶格氧的交換,是材料實現P型半導化的重要手段,也提高瞭元件的氧氣靈敏度.
위제고원건반도화원리병제고원건적양기령민도,대이SrTiO3위기재적양품분별재강환원기체조건화대기조건하적N형전압민、전용쌍공능원건화P형양기민감원건,분별측시료N형원건적압민전압U1mA등전삼수화P형원건재불동적온도하적조온특성、양민특성,병진행료TPD측량.연구표명양공위시재SrTiO3정체중잡질확산、실현반도화적중요조건,인차공제양공위적농도성위제비개태광형반도체공능도자원건적중요인소；환원기분소결산생적양공위시재료실현N형반도화적중요수단；수주잡질소산생적양공위촉진료배경양여정격양적교환,시재료실현P형반도화적중요수단,야제고료원건적양기령민도.
