变In组分沟道的MM-HEMT材料电子输运特性研究
변In조분구도적MM-HEMT재료전자수운특성연구
Electron transport properties of MM-HEMT with varied channel indium contents
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2003年 11期 2879-2882 ,共4页

    仇志军%蒋春萍%桂永胜%疏小舟%郭少令%褚君浩%崔利杰%曾一平%朱战平%王保强

    구지군%장춘평%계영성%소소주%곽소령%저군호%최리걸%증일평%주전평%왕보강

    变缓冲层高迁移率晶体管%Shubnikov-de Hass 振荡 變緩遲層高遷移率晶體管%Shubnikov-de Hass 振盪
    변완충층고천이솔정체관%Shubnikov-de Hass 진탕
    在变缓冲层高迁移率晶体管(MM-HEMT)器件中,二维电子气的输运性质对器件性能起着决定作用.通过低温下二维电子气横向电阻的量子振荡现象,结合变温度的Hall测量,系统研究了不同In组分沟道MM-HEMT器件中子带电子迁移率和浓度随温度的变化关系.结果表明,沟道中In组分为0.65的样品,材料电学性能最好,In组分高于0.65的样品,严重的晶格失配将产生位错,引起迁移率下降,大大影响材料和器件的性能.
    재변완충층고천이솔정체관(MM-HEMT)기건중,이유전자기적수운성질대기건성능기착결정작용.통과저온하이유전자기횡향전조적양자진탕현상,결합변온도적Hall측량,계통연구료불동In조분구도MM-HEMT기건중자대전자천이솔화농도수온도적변화관계.결과표명,구도중In조분위0.65적양품,재료전학성능최호,In조분고우0.65적양품,엄중적정격실배장산생위착,인기천이솔하강,대대영향재료화기건적성능.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문