微纳电子技术
微納電子技術
미납전자기술
MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY
2010年
1期
45-49
,共5页
陈国太%谢常青%胡昕%潘一鸣%朱效立%刘明%吴秀龙%陈军宁
陳國太%謝常青%鬍昕%潘一鳴%硃效立%劉明%吳秀龍%陳軍寧
진국태%사상청%호흔%반일명%주효립%류명%오수룡%진군저
X射线透射光栅%电子束曝光%邻近效应校正%微电镀%自支撑透射光栅
X射線透射光柵%電子束曝光%鄰近效應校正%微電鍍%自支撐透射光柵
X사선투사광책%전자속폭광%린근효응교정%미전도%자지탱투사광책
针对X射线自支撑透射光栅在多能点单色成像光栅谱仪中的应用,采用电子束和光学匹配曝光、微电镀和高密度等离子体刻蚀技术,成功制备了周期为500 nm、金吸收体厚度为350 nm、占空比接近1:1,满足三个能点成像需求的2 000 lp/mm X射线自支撑透射光栅.首先利用电子束光刻和微电镀技术制备金光栅图形,然后采用紫外光刻和微电镀技术制作自支撑结构,最后通过腐蚀体硅和感应耦合等离子体刻蚀聚酰亚胺完成X射线自支撑透射光栅的制作.在电子束光刻中,采用几何校正和高反差电子束抗蚀剂实现了对纳米尺度光栅图形的精确控制.实验结果表明,同一个器件分布的三块光栅占空比合理,栅线平滑,可以满足单能点单色成像谱仪的要求.
針對X射線自支撐透射光柵在多能點單色成像光柵譜儀中的應用,採用電子束和光學匹配曝光、微電鍍和高密度等離子體刻蝕技術,成功製備瞭週期為500 nm、金吸收體厚度為350 nm、佔空比接近1:1,滿足三箇能點成像需求的2 000 lp/mm X射線自支撐透射光柵.首先利用電子束光刻和微電鍍技術製備金光柵圖形,然後採用紫外光刻和微電鍍技術製作自支撐結構,最後通過腐蝕體硅和感應耦閤等離子體刻蝕聚酰亞胺完成X射線自支撐透射光柵的製作.在電子束光刻中,採用幾何校正和高反差電子束抗蝕劑實現瞭對納米呎度光柵圖形的精確控製.實驗結果錶明,同一箇器件分佈的三塊光柵佔空比閤理,柵線平滑,可以滿足單能點單色成像譜儀的要求.
침대X사선자지탱투사광책재다능점단색성상광책보의중적응용,채용전자속화광학필배폭광、미전도화고밀도등리자체각식기술,성공제비료주기위500 nm、금흡수체후도위350 nm、점공비접근1:1,만족삼개능점성상수구적2 000 lp/mm X사선자지탱투사광책.수선이용전자속광각화미전도기술제비금광책도형,연후채용자외광각화미전도기술제작자지탱결구,최후통과부식체규화감응우합등리자체각식취선아알완성X사선자지탱투사광책적제작.재전자속광각중,채용궤하교정화고반차전자속항식제실현료대납미척도광책도형적정학공제.실험결과표명,동일개기건분포적삼괴광책점공비합리,책선평활,가이만족단능점단색성상보의적요구.
