功能材料
功能材料
공능재료
JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS
2009年
4期
595-597,601
,共4页
王邹平%薛成山%庄惠照%王英%张冬冬%黄英龙%郭永福
王鄒平%薛成山%莊惠照%王英%張鼕鼕%黃英龍%郭永福
왕추평%설성산%장혜조%왕영%장동동%황영룡%곽영복
Ga2O3/Cr膜%GaN纳米线%氨化温度%磁控溅射
Ga2O3/Cr膜%GaN納米線%氨化溫度%磁控濺射
Ga2O3/Cr막%GaN납미선%안화온도%자공천사
采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积Ga2O3/Cr膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上成功合成了六方纤锌矿GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对合成GaN纳米材料的影响.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)、傅里叶红外吸收(FTIR)光谱来检测样品的形态,结构和成分,并且讨论了GaN纳米结构的生长机理.研究结果表明,在Cr催化合成GaN纳米结构的过程中,氨化温度对其有重要影响,最佳温度是950℃.
採用磁控濺射的方法在Si(111)襯底上濺射沉積Ga2O3/Cr膜,併通過氨化的方法在Si(111)襯底上成功閤成瞭六方纖鋅礦GaN納米結構材料,研究瞭不同的氨化溫度對閤成GaN納米材料的影響.採用掃描電子顯微鏡(SEM)、X射線衍射儀(XRD)、透射電子顯微鏡(TEM)、高分辨透射電子顯微鏡(HR-TEM)、傅裏葉紅外吸收(FTIR)光譜來檢測樣品的形態,結構和成分,併且討論瞭GaN納米結構的生長機理.研究結果錶明,在Cr催化閤成GaN納米結構的過程中,氨化溫度對其有重要影響,最佳溫度是950℃.
채용자공천사적방법재Si(111)츤저상천사침적Ga2O3/Cr막,병통과안화적방법재Si(111)츤저상성공합성료륙방섬자광GaN납미결구재료,연구료불동적안화온도대합성GaN납미재료적영향.채용소묘전자현미경(SEM)、X사선연사의(XRD)、투사전자현미경(TEM)、고분변투사전자현미경(HR-TEM)、부리협홍외흡수(FTIR)광보래검측양품적형태,결구화성분,병차토론료GaN납미결구적생장궤리.연구결과표명,재Cr최화합성GaN납미결구적과정중,안화온도대기유중요영향,최가온도시950℃.
