微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2009年
3期
414-419
,共6页
刘璟%王琴%龙世兵%胡媛%杨仕谦%郭婷婷%刘明
劉璟%王琴%龍世兵%鬍媛%楊仕謙%郭婷婷%劉明
류경%왕금%룡세병%호원%양사겸%곽정정%류명
高k介质%非挥发性存储器%隧穿层%俘获层
高k介質%非揮髮性存儲器%隧穿層%俘穫層
고k개질%비휘발성존저기%수천층%부획층
随着微电子技术节点不断向前推进,基于传统浮栅结构的非挥发性存储器(NVM)技术遇到严重的技术难点,其中最主要的问题是SiO2隧穿层已经接近厚度极限,很难继续减薄.作为改进措施,引入高k介质作为新型隧穿层材料.文章介绍了高k材料的研究现状和在NVM器件中应用所取得的进展;最后,对高k介质进一步应用的研究趋势进行了展望.
隨著微電子技術節點不斷嚮前推進,基于傳統浮柵結構的非揮髮性存儲器(NVM)技術遇到嚴重的技術難點,其中最主要的問題是SiO2隧穿層已經接近厚度極限,很難繼續減薄.作為改進措施,引入高k介質作為新型隧穿層材料.文章介紹瞭高k材料的研究現狀和在NVM器件中應用所取得的進展;最後,對高k介質進一步應用的研究趨勢進行瞭展望.
수착미전자기술절점불단향전추진,기우전통부책결구적비휘발성존저기(NVM)기술우도엄중적기술난점,기중최주요적문제시SiO2수천층이경접근후도겁한,흔난계속감박.작위개진조시,인입고k개질작위신형수천층재료.문장개소료고k재료적연구현상화재NVM기건중응용소취득적진전;최후,대고k개질진일보응용적연구추세진행료전망.
