电子科技
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전자과기
IT AGE
2009年
12期
11-13,16
,共4页
电荷泵%锁相环%自偏置共源共栅电流镜%电压跟随
電荷泵%鎖相環%自偏置共源共柵電流鏡%電壓跟隨
전하빙%쇄상배%자편치공원공책전류경%전압근수
设计了一种用于电荷泵锁相环的CMOS电荷泵电路.电路中采用3对自偏置高摆幅共源共栅电流镜进行泵电流镜像,增大了低电压下电荷泵的输出电阻,实现了上下两个电荷泵的匹配.为消除单端电荷泵存在的电荷共享问题,引入了带宽幅电压跟随的半差分电流开关结构,使电荷泵性能得以提高.设计采用0.18 μm标准CMOS工艺.电路仿真结果显示,在0.35 ～1.3 V范围内泵电流匹配精度达0.9%,电路工作频率达250 MHz.
設計瞭一種用于電荷泵鎖相環的CMOS電荷泵電路.電路中採用3對自偏置高襬幅共源共柵電流鏡進行泵電流鏡像,增大瞭低電壓下電荷泵的輸齣電阻,實現瞭上下兩箇電荷泵的匹配.為消除單耑電荷泵存在的電荷共享問題,引入瞭帶寬幅電壓跟隨的半差分電流開關結構,使電荷泵性能得以提高.設計採用0.18 μm標準CMOS工藝.電路倣真結果顯示,在0.35 ～1.3 V範圍內泵電流匹配精度達0.9%,電路工作頻率達250 MHz.
설계료일충용우전하빙쇄상배적CMOS전하빙전로.전로중채용3대자편치고파폭공원공책전류경진행빙전류경상,증대료저전압하전하빙적수출전조,실현료상하량개전하빙적필배.위소제단단전하빙존재적전하공향문제,인입료대관폭전압근수적반차분전류개관결구,사전하빙성능득이제고.설계채용0.18 μm표준CMOS공예.전로방진결과현시,재0.35 ～1.3 V범위내빙전류필배정도체0.9%,전로공작빈솔체250 MHz.
