发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2010年
4期
531-537
,共7页
熊贻婧%张萌%熊传兵%肖宗湖%王光绪%汪延明%江风益
熊貽婧%張萌%熊傳兵%肖宗湖%王光緒%汪延明%江風益
웅이청%장맹%웅전병%초종호%왕광서%왕연명%강풍익
金属基板%Si衬底%GaN%薄膜%应力
金屬基闆%Si襯底%GaN%薄膜%應力
금속기판%Si츤저%GaN%박막%응력
采用电镀金属基板及湿法腐蚀衬底的方法将硅衬底上外延生长的GaN MQW LED薄膜转移至不同结构的金属基板,通过高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光(PL)研究了转移的GaN薄膜应力变化.研究发现:(1)转移至铜基板、铬基板、铜/镍/铜叠层基板等三种基板的GaN薄膜张应力均减小,其中转移至铬基板的GaN薄膜张应力最小.(2)随着铬基板中铬主体层厚度的增加,转移后的GaN薄膜应力不发生明显变化.
採用電鍍金屬基闆及濕法腐蝕襯底的方法將硅襯底上外延生長的GaN MQW LED薄膜轉移至不同結構的金屬基闆,通過高分辨X射線衍射(HRXRD)和光緻髮光(PL)研究瞭轉移的GaN薄膜應力變化.研究髮現:(1)轉移至銅基闆、鉻基闆、銅/鎳/銅疊層基闆等三種基闆的GaN薄膜張應力均減小,其中轉移至鉻基闆的GaN薄膜張應力最小.(2)隨著鉻基闆中鉻主體層厚度的增加,轉移後的GaN薄膜應力不髮生明顯變化.
채용전도금속기판급습법부식츤저적방법장규츤저상외연생장적GaN MQW LED박막전이지불동결구적금속기판,통과고분변X사선연사(HRXRD)화광치발광(PL)연구료전이적GaN박막응력변화.연구발현:(1)전이지동기판、락기판、동/얼/동첩층기판등삼충기판적GaN박막장응력균감소,기중전이지락기판적GaN박막장응력최소.(2)수착락기판중락주체층후도적증가,전이후적GaN박막응력불발생명현변화.
