电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2011年
6期
26-28
,共3页
庞驰%叶萃%费自豪%张雷
龐馳%葉萃%費自豪%張雷
방치%협췌%비자호%장뢰
压敏防雷芯片%8/20μs通流能力%工频过电压耐受
壓敏防雷芯片%8/20μs通流能力%工頻過電壓耐受
압민방뢰심편%8/20μs통류능력%공빈과전압내수
为了研究ZnO压敏防雷芯片的工频过电压耐受特性和8/20μs通流能力的相关性,在生产线上抽取同批次产品进行工频过电压耐受试验和8/20 μs通流能力试验.研究结果表明:工频过电压老化后会使压敏电阻的通流能力下降,但经过8/20μs雷电流峰值20 kA冲击后,压敏电阻的工频过电压耐受能力会增强,在冲击15次左右时达到最大值,随着冲击次数的增多,工频过电压耐受能力会降低.
為瞭研究ZnO壓敏防雷芯片的工頻過電壓耐受特性和8/20μs通流能力的相關性,在生產線上抽取同批次產品進行工頻過電壓耐受試驗和8/20 μs通流能力試驗.研究結果錶明:工頻過電壓老化後會使壓敏電阻的通流能力下降,但經過8/20μs雷電流峰值20 kA遲擊後,壓敏電阻的工頻過電壓耐受能力會增彊,在遲擊15次左右時達到最大值,隨著遲擊次數的增多,工頻過電壓耐受能力會降低.
위료연구ZnO압민방뢰심편적공빈과전압내수특성화8/20μs통류능력적상관성,재생산선상추취동비차산품진행공빈과전압내수시험화8/20 μs통류능력시험.연구결과표명:공빈과전압노화후회사압민전조적통류능력하강,단경과8/20μs뇌전류봉치20 kA충격후,압민전조적공빈과전압내수능력회증강,재충격15차좌우시체도최대치,수착충격차수적증다,공빈과전압내수능력회강저.
