半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
12期
920-922
,共3页
王翎%李沛旭%房玉锁%汤庆敏%张新%夏伟%任忠祥%徐现刚
王翎%李沛旭%房玉鎖%湯慶敏%張新%夏偉%任忠祥%徐現剛
왕령%리패욱%방옥쇄%탕경민%장신%하위%임충상%서현강
半导体激光器mini阵列%InGaAsP/GaInP%应变量子阱%金属有机化合物化学气相淀积
半導體激光器mini陣列%InGaAsP/GaInP%應變量子阱%金屬有機化閤物化學氣相澱積
반도체격광기mini진렬%InGaAsP/GaInP%응변양자정%금속유궤화합물화학기상정적
通过分析激光器的结构,优化设计了非对称宽波导激光器结构及外延生长条件.利用低压金属有机化合物气相淀积技术(LP-MOCVD)生长了高质量的InGaAsP/GaInP无铝应变量子阱外延材料,制作成808 nm高功率半导体激光器mini阵列,将其应用到1 064 nm全固态激光器中.20℃下,制作的808 nm,0.5 cm半导体激光器mini阵列,连续驱动电流50 A时输出功率达到50 W,最高光电转换效率达到53％.将该808 nm激光器mini阵列应用到全固态1 064 nm激光模组中,50 W,1 064 nm激光输出时,工作电流只有15 A.经过多于500 h老化以后,1 064 nm全固态激光器的功率衰减小于2％.
通過分析激光器的結構,優化設計瞭非對稱寬波導激光器結構及外延生長條件.利用低壓金屬有機化閤物氣相澱積技術(LP-MOCVD)生長瞭高質量的InGaAsP/GaInP無鋁應變量子阱外延材料,製作成808 nm高功率半導體激光器mini陣列,將其應用到1 064 nm全固態激光器中.20℃下,製作的808 nm,0.5 cm半導體激光器mini陣列,連續驅動電流50 A時輸齣功率達到50 W,最高光電轉換效率達到53％.將該808 nm激光器mini陣列應用到全固態1 064 nm激光模組中,50 W,1 064 nm激光輸齣時,工作電流隻有15 A.經過多于500 h老化以後,1 064 nm全固態激光器的功率衰減小于2％.
통과분석격광기적결구,우화설계료비대칭관파도격광기결구급외연생장조건.이용저압금속유궤화합물기상정적기술(LP-MOCVD)생장료고질량적InGaAsP/GaInP무려응변양자정외연재료,제작성808 nm고공솔반도체격광기mini진렬,장기응용도1 064 nm전고태격광기중.20℃하,제작적808 nm,0.5 cm반도체격광기mini진렬,련속구동전류50 A시수출공솔체도50 W,최고광전전환효솔체도53％.장해808 nm격광기mini진렬응용도전고태1 064 nm격광모조중,50 W,1 064 nm격광수출시,공작전류지유15 A.경과다우500 h노화이후,1 064 nm전고태격광기적공솔쇠감소우2％.
