微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2004年
2期
198-202
,共5页
孙智林%孙伟锋%易扬波%陆生礼
孫智林%孫偉鋒%易颺波%陸生禮
손지림%손위봉%역양파%륙생례
功率器件%兼容工艺%LDMOSFET%漂移区
功率器件%兼容工藝%LDMOSFET%漂移區
공솔기건%겸용공예%LDMOSFET%표이구
高低压兼容工艺对LDMOSFET漂移区的各参数设计提出了更高的要求.结合实际工艺,对LDMOSFET漂移区的长度、结深、浓度等进行了灵敏度分析,详细分析了各参数对击穿电压和导通电阻的影响.根据分析结果,提出了一种改进方案.模拟结果表明,此方案可以使器件击穿电压提高27%,导通电阻降低10%以上.
高低壓兼容工藝對LDMOSFET漂移區的各參數設計提齣瞭更高的要求.結閤實際工藝,對LDMOSFET漂移區的長度、結深、濃度等進行瞭靈敏度分析,詳細分析瞭各參數對擊穿電壓和導通電阻的影響.根據分析結果,提齣瞭一種改進方案.模擬結果錶明,此方案可以使器件擊穿電壓提高27%,導通電阻降低10%以上.
고저압겸용공예대LDMOSFET표이구적각삼수설계제출료경고적요구.결합실제공예,대LDMOSFET표이구적장도、결심、농도등진행료령민도분석,상세분석료각삼수대격천전압화도통전조적영향.근거분석결과,제출료일충개진방안.모의결과표명,차방안가이사기건격천전압제고27%,도통전조강저10%이상.
