微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2006年
3期
366-369
,共4页
杨仿%苏彦锋%李宁%任俊彦
楊倣%囌彥鋒%李寧%任俊彥
양방%소언봉%리저%임준언
多模分频器%吞脉冲结构%检测与置数逻辑
多模分頻器%吞脈遲結構%檢測與置數邏輯
다모분빈기%탄맥충결구%검측여치수라집
介绍了一个多模分频器的设计.为了提高工作速度,采用吞脉冲(pulse-swallow)结构,并且两个计数器均采用改进的检测与置数逻辑;但经过分析,发现在吞脉冲结构下,采用该改进逻辑会存在时序问题.文章提出一种解决方法.经SpectreRF模拟,在SMIC 0.18 μm CMOS工艺条件下,最高工作频率可达3.7 GHz,消耗电流1.4 mA,芯片版图面积150 μm×130 μm.
介紹瞭一箇多模分頻器的設計.為瞭提高工作速度,採用吞脈遲(pulse-swallow)結構,併且兩箇計數器均採用改進的檢測與置數邏輯;但經過分析,髮現在吞脈遲結構下,採用該改進邏輯會存在時序問題.文章提齣一種解決方法.經SpectreRF模擬,在SMIC 0.18 μm CMOS工藝條件下,最高工作頻率可達3.7 GHz,消耗電流1.4 mA,芯片版圖麵積150 μm×130 μm.
개소료일개다모분빈기적설계.위료제고공작속도,채용탄맥충(pulse-swallow)결구,병차량개계수기균채용개진적검측여치수라집;단경과분석,발현재탄맥충결구하,채용해개진라집회존재시서문제.문장제출일충해결방법.경SpectreRF모의,재SMIC 0.18 μm CMOS공예조건하,최고공작빈솔가체3.7 GHz,소모전류1.4 mA,심편판도면적150 μm×130 μm.
