人工晶体学报
人工晶體學報
인공정체학보
2007年
1期
57-61,65
,共6页
白大伟%李焕勇%介万奇%李培森%赵海涛
白大偉%李煥勇%介萬奇%李培森%趙海濤
백대위%리환용%개만기%리배삼%조해도
Ⅱ-Ⅵ族化合物%ZnSe薄膜%化学促进热壁外延法
Ⅱ-Ⅵ族化閤物%ZnSe薄膜%化學促進熱壁外延法
Ⅱ-Ⅵ족화합물%ZnSe박막%화학촉진열벽외연법
本文通过将新型化学气相反应促进剂Zn(NH4)3Cl5引入到热壁外延系统中,以二元素单质Zn和Se为原料,直接在Si(111)衬底上生长了高质量的ZnSe晶体薄膜,薄膜成分接近理想化学计量比.研究了主要工艺参数对薄膜生长形貌和性能的影响.采用SEM、AFM、EDS和PL谱技术研究了生长的ZnSe薄膜的形貌、成分和发光特性.研究结果表明,热壁温度和生长时间是影响ZnSe薄膜形貌的主要因素;气相反应促进剂在薄膜生长和调节成分方面扮演了关键角色,Zn(NH4)3Cl5的存在使得Zn(g)和Se2(g)合成ZnSe晶体的反应转变为气固非一致反应,从而更容易获得近乎理想化学计量比的ZnSe薄膜.ZnSe薄膜在氦镉激光激发下,室温下PL谱由近带边发射和(VZn-ClSe)组合的SA发光组成,而在飞秒激光激发下,仅在481nm处显示出强烈的双光子发射峰.
本文通過將新型化學氣相反應促進劑Zn(NH4)3Cl5引入到熱壁外延繫統中,以二元素單質Zn和Se為原料,直接在Si(111)襯底上生長瞭高質量的ZnSe晶體薄膜,薄膜成分接近理想化學計量比.研究瞭主要工藝參數對薄膜生長形貌和性能的影響.採用SEM、AFM、EDS和PL譜技術研究瞭生長的ZnSe薄膜的形貌、成分和髮光特性.研究結果錶明,熱壁溫度和生長時間是影響ZnSe薄膜形貌的主要因素;氣相反應促進劑在薄膜生長和調節成分方麵扮縯瞭關鍵角色,Zn(NH4)3Cl5的存在使得Zn(g)和Se2(g)閤成ZnSe晶體的反應轉變為氣固非一緻反應,從而更容易穫得近乎理想化學計量比的ZnSe薄膜.ZnSe薄膜在氦鎘激光激髮下,室溫下PL譜由近帶邊髮射和(VZn-ClSe)組閤的SA髮光組成,而在飛秒激光激髮下,僅在481nm處顯示齣彊烈的雙光子髮射峰.
본문통과장신형화학기상반응촉진제Zn(NH4)3Cl5인입도열벽외연계통중,이이원소단질Zn화Se위원료,직접재Si(111)츤저상생장료고질량적ZnSe정체박막,박막성분접근이상화학계량비.연구료주요공예삼수대박막생장형모화성능적영향.채용SEM、AFM、EDS화PL보기술연구료생장적ZnSe박막적형모、성분화발광특성.연구결과표명,열벽온도화생장시간시영향ZnSe박막형모적주요인소;기상반응촉진제재박막생장화조절성분방면분연료관건각색,Zn(NH4)3Cl5적존재사득Zn(g)화Se2(g)합성ZnSe정체적반응전변위기고비일치반응,종이경용역획득근호이상화학계량비적ZnSe박막.ZnSe박막재양력격광격발하,실온하PL보유근대변발사화(VZn-ClSe)조합적SA발광조성,이재비초격광격발하,부재481nm처현시출강렬적쌍광자발사봉.
