山东陶瓷
山東陶瓷
산동도자
SHANDONG CERAMICS
2007年
3期
7-13
,共7页
直流磁控反应溅射%AlN薄膜%介电性能%蠕虫状
直流磁控反應濺射%AlN薄膜%介電性能%蠕蟲狀
직류자공반응천사%AlN박막%개전성능%연충상
采用直流磁控反应溅射的方法在金属铝基板表面沉积AlN薄膜.通过XRD、SEM对绝缘膜层进行了研究分析,并测试了膜层的介电性能.结果表明:在靶基距和溅射功率分别为5cm、150W,衬底温度在室温25℃～300℃内制备的AlN薄膜为六方晶型,沿c轴平行于衬底表面的(100)和(110)晶面生长.AlN薄膜表面有很多蠕虫状形态的晶粒随机地分布在膜平面内,这可能是200 ℃的衬底温度下AlN薄膜介电性能较好的原因.
採用直流磁控反應濺射的方法在金屬鋁基闆錶麵沉積AlN薄膜.通過XRD、SEM對絕緣膜層進行瞭研究分析,併測試瞭膜層的介電性能.結果錶明:在靶基距和濺射功率分彆為5cm、150W,襯底溫度在室溫25℃～300℃內製備的AlN薄膜為六方晶型,沿c軸平行于襯底錶麵的(100)和(110)晶麵生長.AlN薄膜錶麵有很多蠕蟲狀形態的晶粒隨機地分佈在膜平麵內,這可能是200 ℃的襯底溫度下AlN薄膜介電性能較好的原因.
채용직류자공반응천사적방법재금속려기판표면침적AlN박막.통과XRD、SEM대절연막층진행료연구분석,병측시료막층적개전성능.결과표명:재파기거화천사공솔분별위5cm、150W,츤저온도재실온25℃～300℃내제비적AlN박막위륙방정형,연c축평행우츤저표면적(100)화(110)정면생장.AlN박막표면유흔다연충상형태적정립수궤지분포재막평면내,저가능시200 ℃적츤저온도하AlN박막개전성능교호적원인.
