固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2010年
3期
382-386
,共5页
阴亚东%郭桂良%高海军%杜占坤%陈杰
陰亞東%郭桂良%高海軍%杜佔坤%陳傑
음아동%곽계량%고해군%두점곤%진걸
频率综合器%小数分频锁相环%开关切换电容阵列%压控振荡器%△-Σ调制器%多级噪声整形技术
頻率綜閤器%小數分頻鎖相環%開關切換電容陣列%壓控振盪器%△-Σ調製器%多級譟聲整形技術
빈솔종합기%소수분빈쇄상배%개관절환전용진렬%압공진탕기%△-Σ조제기%다급조성정형기술
使用0.18 μm 1.8 V CMOS工艺实现了U波段小数分频锁相环型频率综合器,除压控振荡器(VCO)的调谐电感和锁相环路的无源滤波器外,其他模块都集成在片内.锁相环采用了带有开关电容阵列(SCA)的LC-VCO实现了宽频范围,使用3阶MASH △-Σ调制技术进行噪声整形降低了带内噪声.测试结果表明,频率综合器频率范围达到650～920 MHz;波段内偏离中心频率100 kHz处的相位噪声为-82 dBc/Hz,1 MHz处的相位噪声为-121dBc/Hz;最小频率分辨率为15 Hz;在1.8 V工作电压下,功耗为22 mW.
使用0.18 μm 1.8 V CMOS工藝實現瞭U波段小數分頻鎖相環型頻率綜閤器,除壓控振盪器(VCO)的調諧電感和鎖相環路的無源濾波器外,其他模塊都集成在片內.鎖相環採用瞭帶有開關電容陣列(SCA)的LC-VCO實現瞭寬頻範圍,使用3階MASH △-Σ調製技術進行譟聲整形降低瞭帶內譟聲.測試結果錶明,頻率綜閤器頻率範圍達到650～920 MHz;波段內偏離中心頻率100 kHz處的相位譟聲為-82 dBc/Hz,1 MHz處的相位譟聲為-121dBc/Hz;最小頻率分辨率為15 Hz;在1.8 V工作電壓下,功耗為22 mW.
사용0.18 μm 1.8 V CMOS공예실현료U파단소수분빈쇄상배형빈솔종합기,제압공진탕기(VCO)적조해전감화쇄상배로적무원려파기외,기타모괴도집성재편내.쇄상배채용료대유개관전용진렬(SCA)적LC-VCO실현료관빈범위,사용3계MASH △-Σ조제기술진행조성정형강저료대내조성.측시결과표명,빈솔종합기빈솔범위체도650～920 MHz;파단내편리중심빈솔100 kHz처적상위조성위-82 dBc/Hz,1 MHz처적상위조성위-121dBc/Hz;최소빈솔분변솔위15 Hz;재1.8 V공작전압하,공모위22 mW.
