固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
3期
230-233,256
,共5页
成海峰%王晔%陶洪琪%徐建华%张斌
成海峰%王曄%陶洪琪%徐建華%張斌
성해봉%왕엽%도홍기%서건화%장빈
氮化镓%三代半导体%固态功率放大器
氮化鎵%三代半導體%固態功率放大器
담화가%삼대반도체%고태공솔방대기
介绍了一种基于GaN功率放大芯片的Ku波段宽带固态功率放大器的设计与实现.通过采用目前已经成熟的合成技术,进行了128路的功率合成,获得了大于1000 W的宽带输出功率和20％的功率附加效率,并分析了基于GaN芯片的固态功放的优势.
介紹瞭一種基于GaN功率放大芯片的Ku波段寬帶固態功率放大器的設計與實現.通過採用目前已經成熟的閤成技術,進行瞭128路的功率閤成,穫得瞭大于1000 W的寬帶輸齣功率和20％的功率附加效率,併分析瞭基于GaN芯片的固態功放的優勢.
개소료일충기우GaN공솔방대심편적Ku파단관대고태공솔방대기적설계여실현.통과채용목전이경성숙적합성기술,진행료128로적공솔합성,획득료대우1000 W적관대수출공솔화20％적공솔부가효솔,병분석료기우GaN심편적고태공방적우세.
