GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀速率的研究
GaAs、AlAs、DBR반응리자각식속솔적연구
Research on Etch Rate of Reactive Ion Etching of GaAs,AlAs and DBR
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2001年 9期 1222-1225 ,共4页

    刘文楷%林世鸣%武术%朱家廉%高俊华%渠波%陆建祖%廖奇为%邓晖%陈弘达

    류문해%림세명%무술%주가렴%고준화%거파%륙건조%료기위%산휘%진홍체

    反应离子刻蚀%刻蚀速率%GaAs%AlAs%DBR 反應離子刻蝕%刻蝕速率%GaAs%AlAs%DBR
    반응리자각식%각식속솔%GaAs%AlAs%DBR
    采用BCl3和Ar作为刻蚀气体对GaAs、AlAs、DBR反应离子刻蚀的速率进行了研究,通过控制反应的压强、功率、气体流量和气体组分达到对刻蚀速率的控制.实验结果表明:在同样条件下GaAs刻蚀的速率高于DBR和AlAs,在一定条件下GaAs刻蚀的刻蚀速率可达400nm/min,AlAs的刻蚀速率可达350nm/min,DBR的刻蚀速率可达340nm/min,刻蚀后能够具有光滑的形貌,同时能够形成陡直的侧墙,侧墙的角度可达85°.
    채용BCl3화Ar작위각식기체대GaAs、AlAs、DBR반응리자각식적속솔진행료연구,통과공제반응적압강、공솔、기체류량화기체조분체도대각식속솔적공제.실험결과표명:재동양조건하GaAs각식적속솔고우DBR화AlAs,재일정조건하GaAs각식적각식속솔가체400nm/min,AlAs적각식속솔가체350nm/min,DBR적각식속솔가체340nm/min,각식후능구구유광활적형모,동시능구형성두직적측장,측장적각도가체85°.
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