电源技术
電源技術
전원기술
CHINESE JOURNAL OF POWER SOURCES
2004年
12期
779-783
,共5页
丁尔峰%崔容强%周之斌%赵亮%于化丛%赵占霞
丁爾峰%崔容彊%週之斌%趙亮%于化叢%趙佔霞
정이봉%최용강%주지빈%조량%우화총%조점하
超声雾化喷涂化学气相沉积(USP-CVD)%SnO2:F%SnO2:Sb%NH4F%HF
超聲霧化噴塗化學氣相沉積(USP-CVD)%SnO2:F%SnO2:Sb%NH4F%HF
초성무화분도화학기상침적(USP-CVD)%SnO2:F%SnO2:Sb%NH4F%HF
以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜.对SnO2:F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 Ω/口左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%.分析了HF和NH4F掺杂的不同点.对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究.对SnO2:Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构.并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析.
以F、Sb摻雜,採用超聲霧化噴塗化學氣相沉積工藝製備齣二氧化錫透明導電膜.對SnO2:F薄膜的沉積工藝進行瞭研究,探索齣最佳的工藝條件,沉積齣方塊電阻低達6 Ω/口左右的高透過率透明導電薄膜,其可見光平均透過率可以達到85%.分析瞭HF和NH4F摻雜的不同點.對在兩種最佳工藝條件下沉積的膜的結構、電學性質進行瞭研究.對SnO2:Sb薄膜的電學性質進行瞭研究,用X射線衍射方法分析瞭在同一溫度下,不同Sb摻雜濃度的膜的結構.併對薄膜的透過率、摺射率及光學帶隙等光學性質進行瞭分析.
이F、Sb참잡,채용초성무화분도화학기상침적공예제비출이양화석투명도전막.대SnO2:F박막적침적공예진행료연구,탐색출최가적공예조건,침적출방괴전조저체6 Ω/구좌우적고투과솔투명도전박막,기가견광평균투과솔가이체도85%.분석료HF화NH4F참잡적불동점.대재량충최가공예조건하침적적막적결구、전학성질진행료연구.대SnO2:Sb박막적전학성질진행료연구,용X사선연사방법분석료재동일온도하,불동Sb참잡농도적막적결구.병대박막적투과솔、절사솔급광학대극등광학성질진행료분석.
