半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
1期
38-41
,共4页
徐伟中%叶志镇%周婷%赵炳辉%朱丽萍%黄靖云
徐偉中%葉誌鎮%週婷%趙炳輝%硃麗萍%黃靖雲
서위중%협지진%주정%조병휘%주려평%황정운
p型%ZnO%金属有机化学气相沉积
p型%ZnO%金屬有機化學氣相沉積
p형%ZnO%금속유궤화학기상침적
采用金属有机化学气相沉积方法在玻璃上生长了掺氮的低电阻p型ZnO薄膜.实验使用NO和N2O共同作为氧源,且NO同时作为掺氮源,二乙基锌作为锌源.X射线衍射测试表明薄膜具有c轴择优取向的结构特性,二次离子质谱分析证实了氮被掺入了ZnO薄膜.通过优化锌源流量获得了最高空穴浓度为1.97×1018cm-3,最低电阻率为3.02Ω·cm的ZnO薄膜.
採用金屬有機化學氣相沉積方法在玻璃上生長瞭摻氮的低電阻p型ZnO薄膜.實驗使用NO和N2O共同作為氧源,且NO同時作為摻氮源,二乙基鋅作為鋅源.X射線衍射測試錶明薄膜具有c軸擇優取嚮的結構特性,二次離子質譜分析證實瞭氮被摻入瞭ZnO薄膜.通過優化鋅源流量穫得瞭最高空穴濃度為1.97×1018cm-3,最低電阻率為3.02Ω·cm的ZnO薄膜.
채용금속유궤화학기상침적방법재파리상생장료참담적저전조p형ZnO박막.실험사용NO화N2O공동작위양원,차NO동시작위참담원,이을기자작위자원.X사선연사측시표명박막구유c축택우취향적결구특성,이차리자질보분석증실료담피참입료ZnO박막.통과우화자원류량획득료최고공혈농도위1.97×1018cm-3,최저전조솔위3.02Ω·cm적ZnO박막.
