半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2006年
7期
1241-1245
,共5页
赵有文%董志远%魏学成%段满龙%李晋闽
趙有文%董誌遠%魏學成%段滿龍%李晉閩
조유문%동지원%위학성%단만룡%리진민
氮化铝%晶体%升华法
氮化鋁%晶體%升華法
담화려%정체%승화법
研究了高温升华法(PVT)生长AlN体单晶的技术和材料的性质.使用陶瓷BN坩埚,加热温度约在1900℃左右,生长结果为AlN晶须或致密多晶,难以生长出较大的AlN晶粒.用钨坩埚加热生长温度达到2200℃左右时,在AlN陶瓷片和6H-SiC片上生长了直径22mm的AlN晶体,最大的晶粒尺寸长10mm、直径5mm.利用X射线粉末衍射分析了几种不同AlN样品的结构和组成.讨论了PVT法生长AlN晶体所涉及的化学热力学过程和现象.
研究瞭高溫升華法(PVT)生長AlN體單晶的技術和材料的性質.使用陶瓷BN坩堝,加熱溫度約在1900℃左右,生長結果為AlN晶鬚或緻密多晶,難以生長齣較大的AlN晶粒.用鎢坩堝加熱生長溫度達到2200℃左右時,在AlN陶瓷片和6H-SiC片上生長瞭直徑22mm的AlN晶體,最大的晶粒呎吋長10mm、直徑5mm.利用X射線粉末衍射分析瞭幾種不同AlN樣品的結構和組成.討論瞭PVT法生長AlN晶體所涉及的化學熱力學過程和現象.
연구료고온승화법(PVT)생장AlN체단정적기술화재료적성질.사용도자BN감과,가열온도약재1900℃좌우,생장결과위AlN정수혹치밀다정,난이생장출교대적AlN정립.용오감과가열생장온도체도2200℃좌우시,재AlN도자편화6H-SiC편상생장료직경22mm적AlN정체,최대적정립척촌장10mm、직경5mm.이용X사선분말연사분석료궤충불동AlN양품적결구화조성.토론료PVT법생장AlN정체소섭급적화학열역학과정화현상.
