半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2007年
5期
402-405
,共4页
冯彬%刘英坤%孙艳玲%段雪%董四华
馮彬%劉英坤%孫豔玲%段雪%董四華
풍빈%류영곤%손염령%단설%동사화
工艺仿真%Tsuprem 4软件%横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
工藝倣真%Tsuprem 4軟件%橫嚮雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶體管
공예방진%Tsuprem 4연건%횡향쌍확산금속양화물반도체장효응정체관
利用工艺仿真软件Tsuprem 4,针对氧化、退火等工艺进行仿真及校准,并据此对LDMOSFET进行了设计及工艺仿真.结合Medici得到LDMOSFET的结构参数以及相应电学参数,与研制结果进行了比较,仿真结果与实际研制结果吻合较好,实现了在工作频率1 GHz,VDD=28 V条件下,输出功率Po=10 W,Gp=10 dB,η=55%的良好性能.
利用工藝倣真軟件Tsuprem 4,針對氧化、退火等工藝進行倣真及校準,併據此對LDMOSFET進行瞭設計及工藝倣真.結閤Medici得到LDMOSFET的結構參數以及相應電學參數,與研製結果進行瞭比較,倣真結果與實際研製結果吻閤較好,實現瞭在工作頻率1 GHz,VDD=28 V條件下,輸齣功率Po=10 W,Gp=10 dB,η=55%的良好性能.
이용공예방진연건Tsuprem 4,침대양화、퇴화등공예진행방진급교준,병거차대LDMOSFET진행료설계급공예방진.결합Medici득도LDMOSFET적결구삼수이급상응전학삼수,여연제결과진행료비교,방진결과여실제연제결과문합교호,실현료재공작빈솔1 GHz,VDD=28 V조건하,수출공솔Po=10 W,Gp=10 dB,η=55%적량호성능.
