传感技术学报
傳感技術學報
전감기술학보
Journal of Transduction Technology
2008年
4期
656-659
,共4页
胡光伟%刘泽文%侯智昊%李志坚
鬍光偉%劉澤文%侯智昊%李誌堅
호광위%류택문%후지호%리지견
RF MEMS%开关%单刀多掷%接触式
RF MEMS%開關%單刀多擲%接觸式
RF MEMS%개관%단도다척%접촉식
设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷(SP4T)RF MEMS开关.单元开关采用以低应力氮氧化硅(SiON)作为桥膜的双端固定桥式结构,并利用附着的金层形成接触结构.整个SP4T开关包括与50 Ω特征阻抗相匹配的共面波导,1个输入端,4个输出端,4个静电驱动的侧拉桥,以及4个驱动引出区(pad).测试数据表明,开关驱动电压18.8 V;插入损耗S21<0.26 dB@DC-3 GHz,S31<0.46 dB@DC-3 GHz;隔离度S21>69.5 dB@DC-3 GHz,S31>69.2 dB@DC-3 GHz.结果显示,此开关的隔离度在所有输出端有很好的一致性,插损在DC-3 GHz的频段内均较小,非常适合低频使用.
設計併製備瞭一種低電壓的靜電驅動接觸式單刀四擲(SP4T)RF MEMS開關.單元開關採用以低應力氮氧化硅(SiON)作為橋膜的雙耑固定橋式結構,併利用附著的金層形成接觸結構.整箇SP4T開關包括與50 Ω特徵阻抗相匹配的共麵波導,1箇輸入耑,4箇輸齣耑,4箇靜電驅動的側拉橋,以及4箇驅動引齣區(pad).測試數據錶明,開關驅動電壓18.8 V;插入損耗S21<0.26 dB@DC-3 GHz,S31<0.46 dB@DC-3 GHz;隔離度S21>69.5 dB@DC-3 GHz,S31>69.2 dB@DC-3 GHz.結果顯示,此開關的隔離度在所有輸齣耑有很好的一緻性,插損在DC-3 GHz的頻段內均較小,非常適閤低頻使用.
설계병제비료일충저전압적정전구동접촉식단도사척(SP4T)RF MEMS개관.단원개관채용이저응력담양화규(SiON)작위교막적쌍단고정교식결구,병이용부착적금층형성접촉결구.정개SP4T개관포괄여50 Ω특정조항상필배적공면파도,1개수입단,4개수출단,4개정전구동적측랍교,이급4개구동인출구(pad).측시수거표명,개관구동전압18.8 V;삽입손모S21<0.26 dB@DC-3 GHz,S31<0.46 dB@DC-3 GHz;격리도S21>69.5 dB@DC-3 GHz,S31>69.2 dB@DC-3 GHz.결과현시,차개관적격리도재소유수출단유흔호적일치성,삽손재DC-3 GHz적빈단내균교소,비상괄합저빈사용.
