电子与信息学报
電子與信息學報
전자여신식학보
JOURNAL OF ELECTRONICS & INFORMATION TECHNOLOGY
2003年
3期
389-394
,共6页
尚也淳%张义门%张玉明%刘忠立
尚也淳%張義門%張玉明%劉忠立
상야순%장의문%장옥명%류충립
SiC MOS结构,辐照,平带电压,退火
SiC MOS結構,輻照,平帶電壓,退火
SiC MOS결구,복조,평대전압,퇴화
对SiC MOS结构辐照引起的电参数退化及其电特性进行了研究.结果说明:在氧化层电场较高时Fowler-Nordheim隧穿电流决定着SiC MOS结构的漏电流,当辐照栅偏压为高的正电压时,电离辐照对SiC MOS电容的影响会更明显,SiC MOS器件比Si器件具有好的抗γ辐照的能力,在58kGy(Si)的辐照剂量下,其平带电压漂移不超过2V.
對SiC MOS結構輻照引起的電參數退化及其電特性進行瞭研究.結果說明:在氧化層電場較高時Fowler-Nordheim隧穿電流決定著SiC MOS結構的漏電流,噹輻照柵偏壓為高的正電壓時,電離輻照對SiC MOS電容的影響會更明顯,SiC MOS器件比Si器件具有好的抗γ輻照的能力,在58kGy(Si)的輻照劑量下,其平帶電壓漂移不超過2V.
대SiC MOS결구복조인기적전삼수퇴화급기전특성진행료연구.결과설명:재양화층전장교고시Fowler-Nordheim수천전류결정착SiC MOS결구적루전류,당복조책편압위고적정전압시,전리복조대SiC MOS전용적영향회경명현,SiC MOS기건비Si기건구유호적항γ복조적능력,재58kGy(Si)적복조제량하,기평대전압표이불초과2V.
