半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2003年
10期
1067-1071
,共5页
半导体激光器%光致发光%边发射
半導體激光器%光緻髮光%邊髮射
반도체격광기%광치발광%변발사
在室温下测量了GaInP/AlGaInP垂直腔面发射激光器(VCSEL)的光致发光谱和反射谱.通过反射谱测量可以很容易得到激光器的腔模波长.但是用通常的背散射配置不能测得与有源区中量子阱有关的光致发光信号.用边激发配置可以测到量子阱的光致发光谱,但这样测得的光谱已经受到激光器中的分布布拉格反射镜(DBR)的调制.采用腐蚀去上DBR层的方法可以在背散射配置下测得量子阱的光致发光谱,但仍无法避免下DBR层对发光谱的调制作用.从而只有采用边激发-边发射模式才能测得VCSEL中量子阱的真实的光致发光谱.
在室溫下測量瞭GaInP/AlGaInP垂直腔麵髮射激光器(VCSEL)的光緻髮光譜和反射譜.通過反射譜測量可以很容易得到激光器的腔模波長.但是用通常的揹散射配置不能測得與有源區中量子阱有關的光緻髮光信號.用邊激髮配置可以測到量子阱的光緻髮光譜,但這樣測得的光譜已經受到激光器中的分佈佈拉格反射鏡(DBR)的調製.採用腐蝕去上DBR層的方法可以在揹散射配置下測得量子阱的光緻髮光譜,但仍無法避免下DBR層對髮光譜的調製作用.從而隻有採用邊激髮-邊髮射模式纔能測得VCSEL中量子阱的真實的光緻髮光譜.
재실온하측량료GaInP/AlGaInP수직강면발사격광기(VCSEL)적광치발광보화반사보.통과반사보측량가이흔용역득도격광기적강모파장.단시용통상적배산사배치불능측득여유원구중양자정유관적광치발광신호.용변격발배치가이측도양자정적광치발광보,단저양측득적광보이경수도격광기중적분포포랍격반사경(DBR)적조제.채용부식거상DBR층적방법가이재배산사배치하측득양자정적광치발광보,단잉무법피면하DBR층대발광보적조제작용.종이지유채용변격발-변발사모식재능측득VCSEL중양자정적진실적광치발광보.
