固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2004年
1期
1-3
,共3页
韩德栋%康晋锋%刘晓彦%韩汝琦
韓德棟%康晉鋒%劉曉彥%韓汝琦
한덕동%강진봉%류효언%한여기
高介电常数栅介质%二氧化铪薄膜%电学特性
高介電常數柵介質%二氧化鉿薄膜%電學特性
고개전상수책개질%이양화협박막%전학특성
研究了高K(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的制备工艺,制备了有效氧化层厚度为2.9 nm的超薄MOS电容.对电容的电学特性如C-V特性,I-V特性,击穿特性进行了测试.实验结果显示:HfO2栅介质电容具有良好的C-V特性,较低的漏电流和较高的击穿电压.因此,HfO2栅介质可能成为SiO2栅介质的替代物.
研究瞭高K(高介電常數)柵介質HfO2薄膜的製備工藝,製備瞭有效氧化層厚度為2.9 nm的超薄MOS電容.對電容的電學特性如C-V特性,I-V特性,擊穿特性進行瞭測試.實驗結果顯示:HfO2柵介質電容具有良好的C-V特性,較低的漏電流和較高的擊穿電壓.因此,HfO2柵介質可能成為SiO2柵介質的替代物.
연구료고K(고개전상수)책개질HfO2박막적제비공예,제비료유효양화층후도위2.9 nm적초박MOS전용.대전용적전학특성여C-V특성,I-V특성,격천특성진행료측시.실험결과현시:HfO2책개질전용구유량호적C-V특성,교저적루전류화교고적격천전압.인차,HfO2책개질가능성위SiO2책개질적체대물.
