固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2005年
3期
315-319,356
,共6页
氮化硅电容%时间依赖介质击穿%评价%寿命预计
氮化硅電容%時間依賴介質擊穿%評價%壽命預計
담화규전용%시간의뢰개질격천%평개%수명예계
运用TDDB理论,研究分析了GaAs MMIC的MIM氮化硅电容的导电特性和击穿特性,设计制作了三种对比分析的GaAs MMIC的MIM氮化硅电容结构,通过不同斜率的斜坡电压对氮化硅介质进行了可靠性评价,Si3N4 MIM电容的可靠性与其面积和周长密切相关,介质缺陷是导致电容失效的主要因素.通过不同斜率的斜坡电压获得电场加速因子(γ)预计了10 V工作电压下的Si3N4介质层的寿命.
運用TDDB理論,研究分析瞭GaAs MMIC的MIM氮化硅電容的導電特性和擊穿特性,設計製作瞭三種對比分析的GaAs MMIC的MIM氮化硅電容結構,通過不同斜率的斜坡電壓對氮化硅介質進行瞭可靠性評價,Si3N4 MIM電容的可靠性與其麵積和週長密切相關,介質缺陷是導緻電容失效的主要因素.通過不同斜率的斜坡電壓穫得電場加速因子(γ)預計瞭10 V工作電壓下的Si3N4介質層的壽命.
운용TDDB이론,연구분석료GaAs MMIC적MIM담화규전용적도전특성화격천특성,설계제작료삼충대비분석적GaAs MMIC적MIM담화규전용결구,통과불동사솔적사파전압대담화규개질진행료가고성평개,Si3N4 MIM전용적가고성여기면적화주장밀절상관,개질결함시도치전용실효적주요인소.통과불동사솔적사파전압획득전장가속인자(γ)예계료10 V공작전압하적Si3N4개질층적수명.
