物理实验
物理實驗
물리실험
PHYSICS EXPERIMENTATION
2005年
12期
15-19
,共5页
杨平%冯贤平%施芸城%闫永辉
楊平%馮賢平%施蕓城%閆永輝
양평%풍현평%시예성%염영휘
氮化碳薄膜%直流空心阴极放电%偏压
氮化碳薄膜%直流空心陰極放電%偏壓
담화탄박막%직류공심음겁방전%편압
利用空心阴极放电等离子体源在Si(100)单晶衬底上沉积了氮化碳薄膜.薄膜的表面形貌表明所得的薄膜非常的均匀光滑.用X光电子能谱、拉曼和红外吸收光谱对薄膜的结构、成分和化学键等进行了研究.在拉曼光谱中可以看到典型的G,D和C=N键的峰.当偏压为250 V时,薄膜拉曼光谱中的D峰完全消失,此时薄膜的N/C比达到了0.81.通过对薄膜的XPS分析也表明薄膜中C-C,sp2CN和sp3CN键的组分也发生了明显的变化.当偏压为250 V时薄膜的sp3CN相的含量达到了最大值为40%,同时氮含量也达到了最大值.实验结果给出了直接的证据:薄膜的结构模式可以通过改变偏压来得到控制.
利用空心陰極放電等離子體源在Si(100)單晶襯底上沉積瞭氮化碳薄膜.薄膜的錶麵形貌錶明所得的薄膜非常的均勻光滑.用X光電子能譜、拉曼和紅外吸收光譜對薄膜的結構、成分和化學鍵等進行瞭研究.在拉曼光譜中可以看到典型的G,D和C=N鍵的峰.噹偏壓為250 V時,薄膜拉曼光譜中的D峰完全消失,此時薄膜的N/C比達到瞭0.81.通過對薄膜的XPS分析也錶明薄膜中C-C,sp2CN和sp3CN鍵的組分也髮生瞭明顯的變化.噹偏壓為250 V時薄膜的sp3CN相的含量達到瞭最大值為40%,同時氮含量也達到瞭最大值.實驗結果給齣瞭直接的證據:薄膜的結構模式可以通過改變偏壓來得到控製.
이용공심음겁방전등리자체원재Si(100)단정츤저상침적료담화탄박막.박막적표면형모표명소득적박막비상적균균광활.용X광전자능보、랍만화홍외흡수광보대박막적결구、성분화화학건등진행료연구.재랍만광보중가이간도전형적G,D화C=N건적봉.당편압위250 V시,박막랍만광보중적D봉완전소실,차시박막적N/C비체도료0.81.통과대박막적XPS분석야표명박막중C-C,sp2CN화sp3CN건적조분야발생료명현적변화.당편압위250 V시박막적sp3CN상적함량체도료최대치위40%,동시담함량야체도료최대치.실험결과급출료직접적증거:박막적결구모식가이통과개변편압래득도공제.
