压电与声光
壓電與聲光
압전여성광
PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS
2006年
3期
325-327
,共3页
李海燕%张之圣%胡明%樊攀峰%王秀宇%刘志刚
李海燕%張之聖%鬍明%樊攀峰%王秀宇%劉誌剛
리해연%장지골%호명%번반봉%왕수우%류지강
锆钛酸铅薄膜%射频溅射%钙钛矿结构%电滞回线
鋯鈦痠鉛薄膜%射頻濺射%鈣鈦礦結構%電滯迴線
고태산연박막%사빈천사%개태광결구%전체회선
采用对靶溅射法在SiO2/Si基板上沉积Pt/Ti底电极,用射频(RF)溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基板上制备了厚度约800 nm的PZT薄膜.XRD分析表明,Ar气氛中沉积,700℃下快速退火(RTA)20 min所得的PZT薄膜具有钙钛矿结构;SEM、AFM分析表明,该条件下所得薄膜的表面由平均粒径约219 nm的晶粒组成,较为均匀、致密.在1 kHz的测试频率下,PZT薄膜的介电常数为327.6,从电滞回线上可以得出,该PZT薄膜的矫顽场强为50 kV/cm,剩余极化强度和自发极化强度分别为10 μC/cm2、13 μC/cm2.
採用對靶濺射法在SiO2/Si基闆上沉積Pt/Ti底電極,用射頻(RF)濺射法在Pt/Ti/SiO2/Si基闆上製備瞭厚度約800 nm的PZT薄膜.XRD分析錶明,Ar氣氛中沉積,700℃下快速退火(RTA)20 min所得的PZT薄膜具有鈣鈦礦結構;SEM、AFM分析錶明,該條件下所得薄膜的錶麵由平均粒徑約219 nm的晶粒組成,較為均勻、緻密.在1 kHz的測試頻率下,PZT薄膜的介電常數為327.6,從電滯迴線上可以得齣,該PZT薄膜的矯頑場彊為50 kV/cm,剩餘極化彊度和自髮極化彊度分彆為10 μC/cm2、13 μC/cm2.
채용대파천사법재SiO2/Si기판상침적Pt/Ti저전겁,용사빈(RF)천사법재Pt/Ti/SiO2/Si기판상제비료후도약800 nm적PZT박막.XRD분석표명,Ar기분중침적,700℃하쾌속퇴화(RTA)20 min소득적PZT박막구유개태광결구;SEM、AFM분석표명,해조건하소득박막적표면유평균립경약219 nm적정립조성,교위균균、치밀.재1 kHz적측시빈솔하,PZT박막적개전상수위327.6,종전체회선상가이득출,해PZT박막적교완장강위50 kV/cm,잉여겁화강도화자발겁화강도분별위10 μC/cm2、13 μC/cm2.
