半导体光电
半導體光電
반도체광전
SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
2007年
1期
47-50
,共4页
李华平%柴广跃%彭文达%牛憨笨
李華平%柴廣躍%彭文達%牛憨笨
리화평%시엄약%팽문체%우감분
功率型LED%封装%金属芯线路板%等离子微弧氧化%有限元法%多芯片安装
功率型LED%封裝%金屬芯線路闆%等離子微弧氧化%有限元法%多芯片安裝
공솔형LED%봉장%금속심선로판%등리자미호양화%유한원법%다심편안장
从解决大功率发光二极管散热和材料热膨胀系数匹配的角度,介绍了几种典型的封装结构及金属芯线路板(MCPCB)的性能,并简要分析了其散热原理.最后介绍了等离子微弧氧化(MAO)工艺制作的铝芯金属线路板,低成本、低热阻、性能稳定、便于加工和进行多样结构的封装是其突出优点.对采用MAO工艺的MCPCB基板封装的瓦级单芯片LED进行了热场的有限元模拟,结果显示其热阻约为10 K/W;当微弧氧化膜热导率由2 W·m-1·K-1升高到5 W·m-1·K-1时,热阻将降至6 K/W.
從解決大功率髮光二極管散熱和材料熱膨脹繫數匹配的角度,介紹瞭幾種典型的封裝結構及金屬芯線路闆(MCPCB)的性能,併簡要分析瞭其散熱原理.最後介紹瞭等離子微弧氧化(MAO)工藝製作的鋁芯金屬線路闆,低成本、低熱阻、性能穩定、便于加工和進行多樣結構的封裝是其突齣優點.對採用MAO工藝的MCPCB基闆封裝的瓦級單芯片LED進行瞭熱場的有限元模擬,結果顯示其熱阻約為10 K/W;噹微弧氧化膜熱導率由2 W·m-1·K-1升高到5 W·m-1·K-1時,熱阻將降至6 K/W.
종해결대공솔발광이겁관산열화재료열팽창계수필배적각도,개소료궤충전형적봉장결구급금속심선로판(MCPCB)적성능,병간요분석료기산열원리.최후개소료등리자미호양화(MAO)공예제작적려심금속선로판,저성본、저열조、성능은정、편우가공화진행다양결구적봉장시기돌출우점.대채용MAO공예적MCPCB기판봉장적와급단심편LED진행료열장적유한원모의,결과현시기열조약위10 K/W;당미호양화막열도솔유2 W·m-1·K-1승고도5 W·m-1·K-1시,열조장강지6 K/W.
