微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2008年
2期
294-297,301
,共5页
电流传输器%AB类推挽输出%CMOS
電流傳輸器%AB類推輓輸齣%CMOS
전류전수기%AB유추만수출%CMOS
基于CSMC 0.5 μm工艺,在两级CMOS运放的基础上,设计了一种结构简单、电压跟随能力强和电流传输精度高的第二代正向电流传输器(CCII+).设计中,通过采用AB类推挽输出方式,达到了降低静态功耗和提高电流驱动能力的目的;应用密勒电容与调零电阻串联的补偿方式,有效地改善了CCII+的频率响应特性;分析了AB输出级晶体管对静态电流的影响.HSPICE仿真结果表明,在1.5 V供电电压下,该CCII+的电压跟随误差仅为0.0534 dB,-3 dB带宽达到201 MHz;电流传输误差为0 dB,-3 dB带宽达到54.4 MHz,X端输入电阻低于0.57 Ω,电流驱动能力为-0.2～1.2 mA,电路功耗为2.54 mW.
基于CSMC 0.5 μm工藝,在兩級CMOS運放的基礎上,設計瞭一種結構簡單、電壓跟隨能力彊和電流傳輸精度高的第二代正嚮電流傳輸器(CCII+).設計中,通過採用AB類推輓輸齣方式,達到瞭降低靜態功耗和提高電流驅動能力的目的;應用密勒電容與調零電阻串聯的補償方式,有效地改善瞭CCII+的頻率響應特性;分析瞭AB輸齣級晶體管對靜態電流的影響.HSPICE倣真結果錶明,在1.5 V供電電壓下,該CCII+的電壓跟隨誤差僅為0.0534 dB,-3 dB帶寬達到201 MHz;電流傳輸誤差為0 dB,-3 dB帶寬達到54.4 MHz,X耑輸入電阻低于0.57 Ω,電流驅動能力為-0.2～1.2 mA,電路功耗為2.54 mW.
기우CSMC 0.5 μm공예,재량급CMOS운방적기출상,설계료일충결구간단、전압근수능력강화전류전수정도고적제이대정향전류전수기(CCII+).설계중,통과채용AB유추만수출방식,체도료강저정태공모화제고전류구동능력적목적;응용밀륵전용여조령전조천련적보상방식,유효지개선료CCII+적빈솔향응특성;분석료AB수출급정체관대정태전류적영향.HSPICE방진결과표명,재1.5 V공전전압하,해CCII+적전압근수오차부위0.0534 dB,-3 dB대관체도201 MHz;전류전수오차위0 dB,-3 dB대관체도54.4 MHz,X단수입전조저우0.57 Ω,전류구동능력위-0.2～1.2 mA,전로공모위2.54 mW.
