固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
2期
203-207
,共5页
宽带反馈放大器%低噪声%单片集成电路
寬帶反饋放大器%低譟聲%單片集成電路
관대반궤방대기%저조성%단편집성전로
推导了反馈电路理论,利用0.25μm GaAs PHEMT工艺,研制了两种并联反馈单片低噪声放大器.第一种放大器的工作频带为6～18GHz,测得增益G≥21dB,带内增益波动ΔG≤±1.0dB,噪声系数NF典型值为2.0dB,输入驻波VSWRin≤1.5,输出驻波VSWRout≤2.0,1分贝压缩点输出功率P1dB≥11dBm.第二种放大器的工作频带为26～40GHz,测得增益G≥17dB,噪声系数NF约为2.0dB,输入、输出驻波VSWR≤2.5,1分贝压缩点输出功率P1dB≥10dBm.两种电路的测试结果验证了设计的正确性.
推導瞭反饋電路理論,利用0.25μm GaAs PHEMT工藝,研製瞭兩種併聯反饋單片低譟聲放大器.第一種放大器的工作頻帶為6～18GHz,測得增益G≥21dB,帶內增益波動ΔG≤±1.0dB,譟聲繫數NF典型值為2.0dB,輸入駐波VSWRin≤1.5,輸齣駐波VSWRout≤2.0,1分貝壓縮點輸齣功率P1dB≥11dBm.第二種放大器的工作頻帶為26～40GHz,測得增益G≥17dB,譟聲繫數NF約為2.0dB,輸入、輸齣駐波VSWR≤2.5,1分貝壓縮點輸齣功率P1dB≥10dBm.兩種電路的測試結果驗證瞭設計的正確性.
추도료반궤전로이론,이용0.25μm GaAs PHEMT공예,연제료량충병련반궤단편저조성방대기.제일충방대기적공작빈대위6～18GHz,측득증익G≥21dB,대내증익파동ΔG≤±1.0dB,조성계수NF전형치위2.0dB,수입주파VSWRin≤1.5,수출주파VSWRout≤2.0,1분패압축점수출공솔P1dB≥11dBm.제이충방대기적공작빈대위26～40GHz,측득증익G≥17dB,조성계수NF약위2.0dB,수입、수출주파VSWR≤2.5,1분패압축점수출공솔P1dB≥10dBm.량충전로적측시결과험증료설계적정학성.
