无机化学学报
無機化學學報
무궤화학학보
JOURNAL OF INORGANIC CHEMISTRY
2011年
6期
1027-1032
,共6页
李登虎%林军%林东洋%王小祥
李登虎%林軍%林東洋%王小祥
리등호%림군%림동양%왕소상
羟基磷灰石%硅掺杂%电化学沉积%涂层
羥基燐灰石%硅摻雜%電化學沉積%塗層
간기린회석%규참잡%전화학침적%도층
在含有Ca2+,PO43-以及 SiO32-的电解液中,通过电化学恒电位方法,在工作电压为3 V温度为85℃的条件下沉积1 h,于钛表面上制得含硅羟基磷灰石涂层.通过电感耦合等离子体原子发射光谱(ICP)、扫描电镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)、探针式轮廓仪(SP)、红外光谱(FTR)对涂层进行分析.结果表明:电化学恒电位方法可制得si饱和含量为0.55wt%左右的Si-HA涂层,Si以SiO44-形式取代PO43-进入HA晶格,造成羟基磷灰石中OH-减小以维持电荷平衡.另外,电解液中Si元素的存在抑制涂层中HA晶体的生长,使涂层变薄,且当电解液中nsi/(nsi+np)达到20%时si-HA晶体形貌由单独的棒状转变为根部相连的树枝状.
在含有Ca2+,PO43-以及 SiO32-的電解液中,通過電化學恆電位方法,在工作電壓為3 V溫度為85℃的條件下沉積1 h,于鈦錶麵上製得含硅羥基燐灰石塗層.通過電感耦閤等離子體原子髮射光譜(ICP)、掃描電鏡(SEM)、X-射線衍射(XRD)、探針式輪廓儀(SP)、紅外光譜(FTR)對塗層進行分析.結果錶明:電化學恆電位方法可製得si飽和含量為0.55wt%左右的Si-HA塗層,Si以SiO44-形式取代PO43-進入HA晶格,造成羥基燐灰石中OH-減小以維持電荷平衡.另外,電解液中Si元素的存在抑製塗層中HA晶體的生長,使塗層變薄,且噹電解液中nsi/(nsi+np)達到20%時si-HA晶體形貌由單獨的棒狀轉變為根部相連的樹枝狀.
재함유Ca2+,PO43-이급 SiO32-적전해액중,통과전화학항전위방법,재공작전압위3 V온도위85℃적조건하침적1 h,우태표면상제득함규간기린회석도층.통과전감우합등리자체원자발사광보(ICP)、소묘전경(SEM)、X-사선연사(XRD)、탐침식륜곽의(SP)、홍외광보(FTR)대도층진행분석.결과표명:전화학항전위방법가제득si포화함량위0.55wt%좌우적Si-HA도층,Si이SiO44-형식취대PO43-진입HA정격,조성간기린회석중OH-감소이유지전하평형.령외,전해액중Si원소적존재억제도층중HA정체적생장,사도층변박,차당전해액중nsi/(nsi+np)체도20%시si-HA정체형모유단독적봉상전변위근부상련적수지상.
