半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
7期
1459-1463
,共5页
佟存柱%韩勤%彭红玲%牛智川%吴荣汉
佟存柱%韓勤%彭紅玲%牛智川%吳榮漢
동존주%한근%팽홍령%우지천%오영한
垂直腔面发射激光器%氧化孔%串联电阻
垂直腔麵髮射激光器%氧化孔%串聯電阻
수직강면발사격광기%양화공%천련전조
含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流,但氧化孔的存在也会加大串联电阻.本文采用理论模型,详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻.把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻,分析了串联电阻与氧化孔半径的关系,提出了降低VCSEL串联电阻的具体方法.
含氧化限製孔的VCSEL具有低的閾值電流,但氧化孔的存在也會加大串聯電阻.本文採用理論模型,詳細計算瞭氧化限製型VCSEL的串聯電阻.把串聯電阻分解為垂直方嚮電阻和橫嚮電阻,分析瞭串聯電阻與氧化孔半徑的關繫,提齣瞭降低VCSEL串聯電阻的具體方法.
함양화한제공적VCSEL구유저적역치전류,단양화공적존재야회가대천련전조.본문채용이론모형,상세계산료양화한제형VCSEL적천련전조.파천련전조분해위수직방향전조화횡향전조,분석료천련전조여양화공반경적관계,제출료강저VCSEL천련전조적구체방법.
