电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2006年
8期
55-57
,共3页
朱传琴%杨志坚%孙兆海%范坤泰
硃傳琴%楊誌堅%孫兆海%範坤泰
주전금%양지견%손조해%범곤태
电子技术%低压压敏电阻%晶粒%晶界%Ta2O5
電子技術%低壓壓敏電阻%晶粒%晶界%Ta2O5
전자기술%저압압민전조%정립%정계%Ta2O5
为获得集成电路过电压保护用低压压敏电阻,以中压ZnO压敏电阻的配方为基础,通过研究与实验,确定了采用添加晶粒助长剂TiO2和籽晶、晶界稳定剂硼银玻璃和Ta2O5,低温烧结等途径,研制出了低压ZnO压敏电阻.测试结果表明,该ZnO压敏电阻的压敏电压为15～25 V,漏电流小(＜2 μA),非线性特性好(α＞29).
為穫得集成電路過電壓保護用低壓壓敏電阻,以中壓ZnO壓敏電阻的配方為基礎,通過研究與實驗,確定瞭採用添加晶粒助長劑TiO2和籽晶、晶界穩定劑硼銀玻璃和Ta2O5,低溫燒結等途徑,研製齣瞭低壓ZnO壓敏電阻.測試結果錶明,該ZnO壓敏電阻的壓敏電壓為15～25 V,漏電流小(＜2 μA),非線性特性好(α＞29).
위획득집성전로과전압보호용저압압민전조,이중압ZnO압민전조적배방위기출,통과연구여실험,학정료채용첨가정립조장제TiO2화자정、정계은정제붕은파리화Ta2O5,저온소결등도경,연제출료저압ZnO압민전조.측시결과표명,해ZnO압민전조적압민전압위15～25 V,루전류소(＜2 μA),비선성특성호(α＞29).
